Compuertas or Practica 1

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Material para la práctica CI Tecnología TTL 74LS32 Led Amarillo Resistencias de Carbón 4kΩ, 10KΩ y 270Ω Dip Switch de 2 Posiciones Transistor BC548 Código de Colores

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Practica 1 compuertas OR de las funciones booleans de logica secuencial y combinatoria, entnedimiento y fichas tecnioas del CI74LS32

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Page 1: Compuertas or Practica 1

Material para la práctica

CI Tecnología TTL 74LS32 Led Amarillo

Resistencias de Carbón 4kΩ, 10KΩ y

270Ω

Dip Switch de 2 Posiciones

Transistor BC548 Código de Colores

Page 2: Compuertas or Practica 1

Protoboard Caimanes

Cable telefónico Fuente de Alimentación, Multímetro Digital

Objetivo de la Práctica

Obtener experimentalmente la tabla de verdad de una puerta O (OR) con dos variables

y familiarizarse con el CI 74LS32, de tecnología TTL.

Medir la tensión de los niveles lógicos 1 y 0 de salida.

Realizar el montaje de una función O (OR) de dos entradas y comprobarlo.

Servirá de base o referencia para las sucesivas experiencias prácticas.

Page 3: Compuertas or Practica 1

Al realizar la actividad se podrán localizar una de las cuatro puertas localizadas en el

circuito CI 74LS32, experimentando y logrando comprender las salidas y entradas de

la función OR con dos Variables (2n

).

Para lograrlo será indispensable realizar los siguientes pasos

1. Montaje del logigrama mostrado:

2. Razonar el funcionamiento

3. Los niveles lógicos de entrada se obtienen mediante los interruptores A y B. El

estado de salida se visualiza mediante el LED, con su correspondiente amplificador

para no sobrecargar la salida.

4. Actuando sobre los interruptores Ay B, aplicar las diferentes combinaciones de

entrada y observar el estado lógico de salida; construir así la tabla de verdad.

5. Medir la tensión de salida en el estado lógico 0 (VoL).

6. Medir la tensión de salida en el estado lógico 1 (VoH).

Una vez leídas y comprendidas las instrucciones anteriores procedemos al armado del

circuito, tal y como se ve en la siguiente fotografía, en donde colocamos en el

protoboard el circuito integrado, el led y su correspondiente alimentación en el bus

positivo (+) y negativo (-).

Page 4: Compuertas or Practica 1

Colocación del circuito

CI74LS32 TTL en el protoboard

De acuerdo a la compuerta se

elabora la tabla de verdad del

circuito dado

Conexión de led

Integración del dipswitch

Page 5: Compuertas or Practica 1

Tabla de verdad del modelo mostrado

X Y F Corriente

0 0 0 0.00

0 1 1 4.90

1 0 1 4.90

1 1 1 4.90

Tabla de verdad con salidas de una

puerta OR en el CI 74LS32 y tomando

corriente del la fuente de alimentación a

4.90 V

Conclusiones

Se pudo comprobar con la tabla de verdad que la compuerta OR trabaja de acuerdo a

la señalada, dejando pasar la corriente cada vez que existe el valor 1, de otra forma

no pasa la corriente, al igual si no se conectaban las entradas de la compuerta, seguía

emitiendo corriente haciendo que el led prendiera de todas formas, ya que no se

interrumpía la corriente

Hojas técnicas

Diodo de luz

74LS32

BC548

Page 6: Compuertas or Practica 1

Led 10 mm ámbar difuso

Modelo: 10/AMB-D

Rangos Máximos (Ta = 25° C)

Características Símbolo Valores Unidad

Corriente continua DC IF 20 mA

Voltaje inverso VR - V

Potencia de disipación PD 42.6 mW

Rango temperatura de operación Topr -40 ~ +85 ° C

Rango temperatura de almacenamiento Tstg -40 ~ +85 ° C

Características

Símbolo Condición de

prueba

Mín. Tipo Máx. Unidad

Voltaje contínuo VF IF=10mA - 2.1 - V

Corriente inversa IR VR=5V - - - mA

Intensidad luminosa IV IF=10mA 60.0 - 250.0 mcd

Longitud de onda

dominante

d IF=10mA - 590 - nm

Angulo de visión

- - 40 - grados

Page 7: Compuertas or Practica 1

Características 74LS32

DIM

INCHES MILLIMETER

S

MIN MAX MIN MAX

A 0.71

5 0.77

0 18.1

6 18.8

0

B 0.24

0 0.26

0 6.10 6.60

C 0.14

5 0.18

5 3.69 4.69

D 0.01

5 0.02

1 0.38 0.53

F 0.04

0 0.07

0 1.02 1.78

G 0.100 BSC 2.54 BSC

H 0.05

2 0.09

5 1.32 2.41

J 0.00

8 0.01

5 0.20 0.38

K 0.11

5 0.13

5 2.92 3.43

L 0.29

0 0.31

0 7.37 7.87

M –––

10 –––

� 10

N 0.01

5 0.03

9 0.38 1.01

DIM

MILLIMETERS INCHES

MIN MAX MIN MAX

A 8.55 8.75

0.337

0.344

B 3.80 4.00

0.150

0.157

C 1.35 1.75 0.05

4 0.06

8

D 0.35 0.49 0.01

4 0.01

9

F 0.40 1.25 0.01

6 0.04

9

G 1.27 BSC 0.050 BSC

J 0.19 0.25 0.00

8 0.00

9

K 0.10 0.25 0.00

4 0.00

9

M 0 7� 0� 7�

P 5.80 6.20 0.22

8 0.24

4

R 0.25 0.50 0.01

0 0.01

9

Page 8: Compuertas or Practica 1

DC CHARACTERISTICS OVER OPERATING TEMPERATURE RANGE (unless otherwise specified)

Symbol Parameter

Limits

Unit Test Conditions Typ Max

VIH Input HIGH Voltage 2.0

V Guaranteed Input HIGH Voltage for All Inputs

VIL Input LOW Voltage 0.8

V Guaranteed Input LOW Voltage for All Inputs

VIK Input Clamp Diode Voltage –0.65 –1.5 V VCC = MIN, IIN = –18 mA

VOH Output HIGH Voltage 2.7 3.5 V VCC = MIN, IOH = MAX, VIN = VIH

or VIL per Truth Table

VVOL Output LOW Voltage Output LOW Voltage

0.25 0.4 V IOL = 4.0 mA VCC = VCC MIN, VIN =VIL or VIHVIN = VIL or VIH per Truth Table

0.35 0.5 V IOL = 8.0 mA

IIIH Input HIGH Current Input HIGH Current

20 µA VCC = MAX, VIN = 2.7 V

0.1 mA VCC = MAX, VIN = 7.0 V

IIL Input LOW Current –0.4 mA VCC = MAX, VIN = 0.4 V

IOS Short Circuit Current (Note 1) –20 –100 mA VCC = MAX

ICCCC

Power Supply Current Total, Output HIGH Total, Output LOW

6.2 mA VCC = MAX CC

9.8

Page 9: Compuertas or Practica 1

Características BC548

x = 6, 7, or 8 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week

� = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location)

Collector − Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 mA, IB = 0) BC546

V(BR)CEO

65 − −

V

BC547 45 − − BC548 30 − − Collector − Base Breakdown Voltage (IC = 100

�Adc) BC546

V(BR)CBO

80 − −

V

BC547 50 − − BC548 30 − − Emitter − Base Breakdown Voltage (IE = 10 �A,

IC = 0) BC546

V(BR)EBO

6.0 − −

V

BC547 6.0 − − BC548 6.0 − − Collector Cutoff Current ICES (VCE = 70 V, VBE = 0) BC546 − 0.2 15 nA

(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547 − 0.2 15 (VCE = 35 V, VBE = 0) BC548 − 0.2 15 (VCE = 30 V, TA = 125°C) BC546/547/548 − − 4.0 �A

ON CHARACTERISTICS

Page 10: Compuertas or Practica 1

DC Current Gain (IC = 10 �A, VCE = 5.0 V)

(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) (IC = 100 mA, VCE = 5.0 V)

BC547A BC546B/547B/548B

BC548C BC546 BC547 BC548 BC547A

BC546B/547B/548B BC547C/BC548C

BC547A/548A BC546B/547B/548B

BC548C

hFE

− − − 110 110 110 110 200 420 − − −

90 150 270 − − − 180 290 520 120 180 300

− − − 450 800 800 220 450 800 − − −

Collector − Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.5 mA) (IC = 100 mA, IB = 5.0 mA) (IC = 10 mA, IB = See Note 1)

VCE(sat)

− − − 0.09 0.2 0.3

0.25 0.6 0.6

V

Base − Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)

VBE(sat) − 0.7 − V

Base − Emitter On Voltage (IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) (IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)

VBE(on)

0.55 − − − 0.7 0.77

V

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS

Current − Gain − Bandwidth Product (IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546 BC547 BC548

fT

150 150 150

300 300 300 − − −

MHz

Output Capacitance (VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz) Cobo − 1.7 4.5 pF

Input Capacitance (VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz) Cibo − 10 − pF

Small − Signal Current Gain (IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546 BC547/548 BC547A BC546B/547B/548B BC547C/548C

hfe

125 125 125 240 450

− − 220 330 600

500 900 260 500 900

Noise Figure (IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 k�, f = 1.0 kHz, �f = 200

Hz) BC546 BC547 BC548

NF

− − − 2.0 2.0

2.0 10 10 10

dB

Page 11: Compuertas or Practica 1

DIM

INCHES MILLIMETERS

MIN MAX MIN MAX

A 0.175 0.205 4.45 5.20

B 0.170 0.210 4.32 5.33

C 0.125 0.165 3.18 4.19

D 0.016 0.021 0.407 0.533

G 0.045 0.055 1.15 1.39

H 0.095 0.105 2.42 2.66

J 0.015 0.020 0.39 0.50

K 0.500 −−− 12.70 −−−

L 0.250 −−− 6.35 −−−

N 0.080 0.105 2.04 2.66

P −−− 0.100 −−− 2.54

R 0.115 −−− 2.93 −−−

V 0.135 −−− 3.43 −−−

Characteristic Symbol Max Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

R�JA 200 °C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case R�JC 83.3 °C/W

Rating Symbol Value Unit

Collector - Emitter Voltage BC546 BC547 BC548

VCEO

65 45 30

Vdc

Collector - Base Voltage BC546 BC547 BC548

VCBO

80 50 30

Vdc

Emitter - Base Voltage VEBO 6.0 Vdc

Collector Current − Continuous IC 100 mAdc

Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C

PD

625 5.0 mW

mW/°C

Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C

PD

1.5 12 W

mW/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

TJ, Tstg −55 to +150

°C