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COMPORTAMENTO DINAMICO DELLE GIUNZIONI P-N Finora abbiamo affrontato situazioni stazionarie ossia ogni qualvolta che è stato necessario abbiamo posto /t = 0 (es. ∂Δp n /t = 0 nellequazione di continuità). In altre parole, abbiamo considerato la risposta della giunzione p-n ad una tensione continua (DC) e lontano dal transitorio iniziale conseguente alla sua applicazione. Ora consideriamo la risposta della giunzione ad un segnale tempo-variante: una tensione alternata (AC) oppure un transitorio. Fisicamente, corrisponde a tenere conto dei tempi di risposta dei portatori alla tensione di ingresso. Siccome i portatori sono di due tipi, essi hanno in generale delle dinamiche molto diverse. I maggioritari sono veloci( tempi di risposta ~10 -10_ 10 -12 sec ) mentre i minoritari sono più lenti (τ n , τ p ~10 -6 sec). Ai processi in cui si ha una variazione della carica in risposta ad una variazione di tensione, è associato il concetto di capacità. Pertanto, all interno di una giunzione p-n, si possono individuare due contributi capacitivi, legati rispettivamente ai due tipi di portatori presenti: - capacità di svuotamento è maggioritari C J - capacità di diffusione è minoritari C d Inoltre vanno considerate anche le variazioni di corrente rispetto alla tensione applicata è dI/dV conduttanza (dinamica). Siccome il diodo è un oggetto non lineare rispetto alla tensione, capacità e conduttanza non saranno valori costanti, caratteristici del dispositivo, ma dipenderanno dal punto di lavoro è sono definiti attraverso una formula di derivazione: C = dQ/dV, G = dI/dV.

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COMPORTAMENTO DINAMICO DELLE GIUNZIONI P-N Finora abbiamo affrontato situazioni stazionarie ossia ogni qualvolta che è stato necessario abbiamo posto ∂/∂t = 0 (es. ∂Δpn /∂t = 0 nell’equazione di continuità). In altre parole, abbiamo considerato la risposta della giunzione p-n ad una tensione continua (DC) e lontano dal transitorio iniziale conseguente alla sua applicazione. Ora consideriamo la risposta della giunzione ad un segnale tempo-variante: una tensione alternata (AC) oppure un transitorio. Fisicamente, corrisponde a tenere conto dei tempi di risposta dei portatori alla tensione di ingresso. Siccome i portatori sono di due tipi, essi hanno in generale delle dinamiche molto diverse. I maggioritari sono “veloci” ( tempi di risposta ~10-10_ 10-12 sec ) mentre i minoritari sono più lenti (τn, τp ~10-6 sec). Ai processi in cui si ha una variazione della carica in risposta ad una variazione di tensione, è associato il concetto di capacità. Pertanto, all’interno di una giunzione p-n, si possono individuare due contributi capacitivi, legati rispettivamente ai due tipi di portatori presenti: -  capacità di svuotamento è maggioritari CJ -  capacità di diffusione è minoritari Cd Inoltre vanno considerate anche le variazioni di corrente rispetto alla tensione applicata è dI/dV conduttanza (dinamica). Siccome il diodo è un oggetto non lineare rispetto alla tensione, capacità e conduttanza non saranno valori costanti, caratteristici del dispositivo, ma dipenderanno dal punto di lavoro è sono definiti attraverso una formula di derivazione: C = dQ/dV, G = dI/dV.

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Problema: come risponde la giunzione ad una tensione dipendente dal tempo, definita come:

In inversa la giunzione si comporta come se fosse un capacitore praticamente ideale, poiche’ la corrente continua che attraversa il dispositivo e’ praticamente nulla

Polarizzazione inversa Capacità di svuotamento : CJ In risposta a va, la zona di svuotamento si allarga o si restringe. Sono i portatori di maggioranza a muoversi e il tempo di

reazione è molto basso (~10-10 ÷ 10-12 sec) è CJ risulta indipendente da ω fino a frequenze molto alte (~

100 MHz).

)()( tvVtv aAA +=Dove VA e’ la componente continua, va la componente alternata di piccola ampiezza

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- Conduttanza : G0

I portatori (di maggioranza) reagiscono istantaneamente al segnale (piccolo) sovrapposto.

In questa ipotesi:

se vA = VA + va :

La corrente dovuta al segnale è:

Essendo |va| << VA,, I(VA + va) può essere espanso in serie di Taylor:

Resistenza dinamica

( )⎥⎥

⎢⎢

⎡−= 10 kT

qv

A

A

eIvI

( )( )

⎥⎥

⎢⎢

⎡−=+

+

10 kTvVq

aA

aA

eIvVI

( ) ( )AaA VIvVIi −+=

( ) ( )AVVA

aAaA dVdIvVIvVI

=

+≅+

( )00

0

IIkTqe

kTqI

dVdI

dVdI

viG

dVdIvi

kTqV

VV

VVa

VVa

A

A

A

A

+==

==

=

=

=

( )00

1IIq

kTG

r+

==

(mhos)

Si definisce:

Conduttanza a bassa frequenza

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Se dal diodo ideale si passa al diodo reale, occorre tener conto anche del contributo dovuto alla generazione: Nel caso della giunzione brusca:

( )A

i

A

ikTqV

A

ikTqV

dVdWqAnII

kTqG

dVdWqAne

kTqI

dVdI

WqAneII

A

A

000

0

0

00

2

2

21

τ

τ

τ

−+=⇒

−=⇒

−⎥⎥

⎢⎢

⎡−=

( )

( )

( )

( )( )

21

000

21

21

21

124

1212

2

⎥⎦

⎤⎢⎣

−⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛ +++=

−⎥⎦

⎤⎢⎣

⎡⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛ +=

⎥⎦

⎤⎢⎣

⎡⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛ +−=

AbiDA

DAsi

AbiDA

DAs

A

DA

DAAbi

s

VVNNNN

qqAnII

kTqG

VVNNNN

qdVdW

NNNNVV

qW

ετ

ε

ε

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Polarizzazione diretta Oltre a CJ, c’è anche CD dovuta alla risposta dei minoritari. I minoritari contribuiscono anche al valore di G. Importante: la diffusione è un processo lento rispetto alla frequenza del segnale. Sotto l’azione di una tensione va(t), pn (e np) diventa una funzione della posizione e del tempo:

pn (x,t)

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Immagazzinamento di carica (charge storage)

In polarizzazione diretta, le regioni “neutre” ricevono una quantità di portatori minoritari in eccesso. Questa carica è data da:

( )

( )

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−⎟⎠

⎞⎜⎝

⎛−=

−−=

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−⎟⎠

⎞⎜⎝

⎛=

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛ −−⎟⎟

⎞⎜⎜⎝

⎛−⎟⎠

⎞⎜⎝

⎛=

−=

∞−

1exp

1exp

exp1exp

0

0

0

0

0

kTqVnqL

dxnnqQ

kTqVpqL

dxLxx

kTqVqp

dxppqQ

pn

x

ppn

np

xp

nn

x nnp

p

n

n

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In una giunzione brusca asimmetrica NA+>> ND

-

Xp= 0 Qn= 0

( )nppp

np

p

pp

p

np

D

i

p

p

A

i

n

n

D

i

p

ps

xJkTqV

LpqD

DL

Q

LpD

qNnD

q

NnDq

NnD

qJ

τ

τ

ττ

=⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−⎟⎠

⎞⎜⎝

⎛=

=≅

≅+=

1exp02

02

22

eq. (3.76)

τp Js

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Capacità di diffusione: Basse frequenze Si osservi come per V < 0, Cd 0 ed infatti non vi è iniezione di minoritari nelle regioni neutre.

Conduttanza : basse frequenze

Circuito equivalente:

Cj, Cd, G dipendono da V

kTqV

nppd e

kTpLq

AdVdQ

AC 02

==

( ) IkTqJ

kTqAJJ

kTqA

eJkTqA

dVdJAG

s

kTqV

s

=≅+=

==

simbolo

circuito equivalente per piccoli segnali

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Comportamento durante un transitorio (switching response)

Per semplicità consideriamo una giunzione p+n (NA>>ND). Si vuole considerare la transizione ON/OFF che si ha quando si inverte bruscamente la polarizzazione da diretta a inversa. Questo significa studiare l’evoluzione che conduce da una situazione stazionaria di iniezione di minoritari ad una situazione, asintoticamente stazionaria, di completa “chiusura” della giunzione.

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Per la giunzione brusca p+n Come si vede, il cambiamento consiste nella “eliminazione” della carica, dovuta ai minoritari, rappresentata dalla somma delle due aree tratteggiate. Questa eliminazione avviene tramite 2 meccanismi: 1) Riflusso attraverso la regione svuotata (corrente inversa); 2) Ricombinazione di lacune in x>xn. In particolare, si osserverà una diminuzione di pn(xn) dal suo valore iniziale >> pn0 ad un valore finale << pn0. Il corrispondente potenziale della giunzione seguirà questo andamento (Si noti che, non essendo piccoli segnali, si permette a Vj di raggiungere il potenziale applicato solo come valore asintotico)

( )⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛=

0

,lnn

nni p

txpqkTV

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Si osservi come Vj, anche per grandi correnti, non eccede, come ordine di grandezza, il volt. Si consideri una commutazione da +25V a –25V del circuito dato. Sia RF = RR = 1KΩ, e sia IS = 10-14 A. E’ facile verificare come la caduta di tensione +25V si ripartisca in circa 24,2 V su RF e 0,8 V sul diodo, con una corrente di circa 24mA. Quando avviene la commutazione, fino a che pn(xn) non scende fino a valori confrontabili con pn0, Vj rimane compresa tra 0,8 e 0V. In questa fase, i –25 V devono cadere tutti sulla resistenza RR passa una corrente IR data da: Quindi, una intensa corrente costante scorre in inversa, fino al tempo ts per cui pn(xn) ≈ pn0. Dopo questo istante, la regione neutra non ha quasi più portatori minoritari, pn(xn) diventa << pn0 e Vj raggiunge rapidamente valori negativi (giunzione in inversa), fino ad uguagliare i –25V. A questo punto non passa più corrente.

mAVRR

VI

RR

jR 252525

−≅−≅+

−=

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ts viene definito tempo di immagazzinamento. ttt (toff in fig. 3.20 e eq. 3.80) viene definito tempo di transizione inversa.

Analisi del tempo di immagazzinamento In x>xn, durante gli stati non stazionari: Si moltiplichi tutto per l’area e per q e si integri tra xn e ∞: ossia Nel periodo 0≤ t≤ ts , I(t) = -IR Integrando tra 0 e ts:

pnppn

xJ

qtp

τΔ

−∂

∂−=

∂Δ∂ 1

∫∫∫∞∞∞Δ−

∂−=Δ

∂∂

npnn x nqA

xp

x n dxpdxxJ

Adxpt

qAτ

( )( )

( )p

pp tQtI

ttQ

τ−=

dtQI

dQ

QI

tQ

p

pR

p

p

pR

p

−=

+

−−=∂

τ

τ

∫∫ −=

+

ssP

P

ttQ

Q

p

pR

p dtQI

dQ0

)(

)0(

τ

eq. di continuità

Equazione del controllo di carica

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Per quanto detto si può assumere Qp(ts) ≈ 0 e, per la (3.76), (dopo aver posto IF = A Jp(xn) :

Qp(0) = τp IF

Per t>ts, si ha una rapida discesa della corrente. Si considera chiuso il transitorio quando la corrente inversa scende a meno del 10% di IR.

TRANSIZIONE OFF/ON(IF costante) Dapprima la corrente IF “riempie” di minoritari la regione n, poi la ricombinazione bilancia IF e si ha uno stato stazionario.

( )

( )⎟⎟⎟⎟⎟

⎜⎜⎜⎜⎜

+

+

=

p

spR

p

pR

ps tQI

QI

t

τ

ττ

0

ln

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛+=

R

Fps I

It 1lnτ

( )

( )⎥⎥⎥

⎢⎢⎢

⎟⎟⎟

⎜⎜⎜

−+=

⎟⎟⎟

⎜⎜⎜

−=

p

p

t

S

Fj

t

Fpp

eII

qkTtV

eItQ

τ

ττ

11ln

1

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ON OFF (tensione costante)

OFF ON (corrente costante)