∆ΙΑΧΥΣΗ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΙ ∆ΟΜΗΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΕ...

17
∆ΙΑΧΥΣΗ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΙ ∆ΟΜΗΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ TTT ΚΑΙ CCT ΙΑΧΥΣΗ ΟΡΙΣΜΟΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ∆ιάχυση είναι ο μηχανισμός μεταφοράς ατόμων (όμοιων ή διαφορετικών μεταξύ τους) μέσα στη μάζα ενός υλικού, λόγω θερμικής διέγερσης τους. Αποτέλεσμα της διάχυσης είναι η ανάμιξη ατόμων της ίδιας ή διαφορετικών ουσιών μέσω τυχαίας θερμικής κίνησης τους. Η διάχυση ατόμων στα μεταλλικά υλικά είναι ιδιαίτερα σημαντική, δεδομένου ότι οι περισσότερες αντιδράσεις σε στερεά κατάσταση περιλαμβάνουν μετακινήσεις ατόμων (π.χ. κατακρήμνιση στερεάς φάσης, πυρηνοποίηση και ανάπτυξη κόκκων, κλπ.) Η διάχυση μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τη βελτίωση των ιδιοτήτων των υλικών. Χαρακτηριστικές τέτοιες περιπτώσεις είναι: Η ενίσχυση του επιφανειακού στρώματος χαλύβων έναντι φθοράς με εμποτισμό ξένων ατόμων στο αντίστοιχο κρυσταλλικό πλέγμα (επιφανειακές κατεργασίες χαλύβων ενανθράκωση, εναζώτωση, βορίωση, κοκ.). Στη βιομηχανία ημιαγωγών, ο εμποτισμός υπερκαθαρών κρυστάλλων γερμανίου (Ge) και πυριτίου (Si) για την κατασκευή transistors. ΕΙ∆Η ∆ΙΑΧΥΣΗΣ Αυτοδιάχυση (self-diffusion): Είναι η μεταφορά ατόμων καθαρού μετάλλου μέσα στο κρυσταλλικό του πλέγμα. ∆ιάχυση αντικατάστασης ή διάχυση κενών (substitutional diffusion): Είναι η μεταφορά ξένων ατόμων ή κενών (οπών) σε πλεγματικές θέσεις του μητρικού κρυσταλλικού πλέγματος. Στην περίπτωση αυτή, το μέγεθος ξένων και μητρικών ατόμων είναι περίπου ίδιο και ο μηχανισμός διευκολύνεται πολύ από την ύπαρξη κενών στο αρχικό πλέγμα. Γενικά, κατά την εξέλιξη της διάχυσης παρατηρείται ροή ατόμων και κενών. ∆ιάχυση υποκατάστασης (interstitial diffusion): Είναι η μεταφορά ξενων ατόμων σε παραπλεγματικές θέσεις του μητρικού κρυσταλλικού πλέγματος. Χαρακτηριστικά παραδείγματα για κάθε είδος διάχυσης παρουσιάζονται στο Σχ. 1. Σχήμα 1: Είδη διάχυσης Επίσης χρησιμοποιούνται και οι όροι: Χωρική διάχυση (volume diffusion) για την περιγραφή της μεταφοράς ατόμων στο εσωτερικό των κόκκων πολυκρυσταλλικού υλικού. ∆ιάχυση στα όρια κόκκων (grain-boundary diffusion) για την περιγραφή της μεταφοράς ατόμων μέσω των ορίων των κόκκων πολυκρυσταλλικού υλικού. 1

Transcript of ∆ΙΑΧΥΣΗ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΙ ∆ΟΜΗΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΕ...

  • ∆ΙΑΧΥΣΗ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΙ ∆ΟΜΗΣ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ

    ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ TTT ΚΑΙ CCT ∆ΙΑΧΥΣΗ ΟΡΙΣΜΟΣ – ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

    ∆ιάχυση είναι ο µηχανισµός µεταφοράς ατόµων (όµοιων ή διαφορετικών µεταξύ τους) µέσα στη µάζα ενός υλικού, λόγω θερµικής διέγερσης τους.

    Αποτέλεσµα της διάχυσης είναι η ανάµιξη ατόµων της ίδιας ή διαφορετικών ουσιών µέσω τυχαίας θερµικής κίνησης τους.

    Η διάχυση ατόµων στα µεταλλικά υλικά είναι ιδιαίτερα σηµαντική, δεδοµένου ότι οι περισσότερες αντιδράσεις σε στερεά κατάσταση περιλαµβάνουν µετακινήσεις ατόµων (π.χ. κατακρήµνιση στερεάς φάσης, πυρηνοποίηση και ανάπτυξη κόκκων, κλπ.)

    Η διάχυση µπορεί να χρησιµοποιηθεί για τη βελτίωση των ιδιοτήτων των υλικών. Χαρακτηριστικές τέτοιες περιπτώσεις είναι: • Η ενίσχυση του επιφανειακού στρώµατος χαλύβων έναντι φθοράς µε εµποτισµό ξένων ατόµων

    στο αντίστοιχο κρυσταλλικό πλέγµα (επιφανειακές κατεργασίες χαλύβων – ενανθράκωση, εναζώτωση, βορίωση, κοκ.).

    • Στη βιοµηχανία ηµιαγωγών, ο εµποτισµός υπερκαθαρών κρυστάλλων γερµανίου (Ge) και πυριτίου (Si) για την κατασκευή transistors.

    ΕΙ∆Η ∆ΙΑΧΥΣΗΣ • Αυτοδιάχυση (self-diffusion): Είναι η µεταφορά ατόµων καθαρού µετάλλου µέσα στο

    κρυσταλλικό του πλέγµα. • ∆ιάχυση αντικατάστασης ή διάχυση κενών (substitutional diffusion): Είναι η µεταφορά

    ξένων ατόµων ή κενών (οπών) σε πλεγµατικές θέσεις του µητρικού κρυσταλλικού πλέγµατος. Στην περίπτωση αυτή, το µέγεθος ξένων και µητρικών ατόµων είναι περίπου ίδιο και ο µηχανισµός διευκολύνεται πολύ από την ύπαρξη κενών στο αρχικό πλέγµα. Γενικά, κατά την εξέλιξη της διάχυσης παρατηρείται ροή ατόµων και κενών.

    • ∆ιάχυση υποκατάστασης (interstitial diffusion): Είναι η µεταφορά ξενων ατόµων σε παραπλεγµατικές θέσεις του µητρικού κρυσταλλικού πλέγµατος. Χαρακτηριστικά παραδείγµατα για κάθε είδος διάχυσης παρουσιάζονται στο Σχ. 1.

    Σχήµα 1: Είδη διάχυσης

    Επίσης χρησιµοποιούνται και οι όροι:

    • Χωρική διάχυση (volume diffusion) για την περιγραφή της µεταφοράς ατόµων στο εσωτερικό των κόκκων πολυκρυσταλλικού υλικού.

    • ∆ιάχυση στα όρια κόκκων (grain-boundary diffusion) για την περιγραφή της µεταφοράς ατόµων µέσω των ορίων των κόκκων πολυκρυσταλλικού υλικού.

    1

  • ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΙ ∆ΙΑΧΥΣΗΣ

    Στη διάχυση αντικατάστασης (και συµπλήρωσης κενών) και στην αυτοδιάχυση, τα άτοµα µπορούν να µετακινηθούν από τη µία θέση στην άλλη, αν η ενέργεια που προέρχεται από τη θερµική διέργεσή τους υπερβεί την ενέργεια ενεργοποίησής τους q, βλ. Σχ. 2.

    Η ύπαρξη κενών ή ατελειών πλέγµατος µε ταυτόχρονη αύξηση της θερµοκρασίας διευκολύνουν τη µετακίνηση αυτή.

    Σχήµα 2: Μεταβολή της ενέργειας ταλάντωσης ατόµου

    Η ενέργεια ενεργοποίησης στην αυτοδιάχυση και στη διάχυση αντικατάστασης ισούται µε το

    άθροισµα της απαιτούµενης ενέργειας για τη δηµιουργία κενού και της ενέργειας για τη µετακίνησή του.

    Αντίθετα, στη διάχυση υποκατάστασης, λαµβάνει χώρα µετακίνηση ξένων ατόµων µικρότερου µεγέθους από τα µητρικά άτοµα από µία παραπλεγµατική θέση σε άλλη χωρίς να σηµειώνεται µόνιµη µετακίνηση ατόµων του µητρικού πλέγµατος.

    Συνεπώς, η απαιτούµενη ενέργεια ενεργοποίησης στη διάχυση υποκατάστασης είναι µικρότερη από εκείνη της διάχυσης αντικατάστασης ή συµπλήρωσης πλεγµατικών κενών.

    Κάθε άτοµο διάχυσης επιτελεί σειρά “αλµάτων” από µία θέση ισορροπίας σε άλλη ακολου-θώντας τυχαία διαδροµή, διανύοντας µεγάλη διαδροµή µέσα στο κρυσταλλικό πλέγµα (Σχ. 3). Η συχνότητα “αλµάτων” που µπορεί να εκτελέσει ένα άτοµο εξαρτάται από το χρονικό διάστηµα που αυτό έχει ενέργεια q και ισούται µε:

    Συχνότητα “αλµάτων” = (1) q / kTe− όπου: k η σταθερά Boltzmann (=1.38×10-23 J/atom K) T η απόλυτη θερµοκρασία (Κ)

    Χαρακτηριστικά παραδείγµατα των διαφόρων µηχανισµών διάχυσης παρουσιάζονται στα Σχ. 4 και 5.

    2

  • Σχήµα 3: Τυχαία διαδροµή ατόµου υποκατάστασης

    Μηχανισµός διάχυσης αντικατάστασης

    Μηχανισµός διάχυσης υποκατάστασης

    Σχήµα 4: Περιγραφή των µηχανισµών διάχυσης

    Σχήµα 5: Παραδείγµατα διαφόρων µηχανισµών διάχυσης

    3

  • ΝΟΜΟΙ ΤΗΣ ∆ΙΑΧΥΣΗΣ

    Για να συµβεί διάχυση σε ένα υλικό, πρέπει να υφίσταται βάθµωση της συγκέντρωσης του διαχεοµένου στοιχείου (dC/dx), δηλαδή να παρατηρείται µεταβολή της συγκέντρωσης C του ξένου στοιχείου κατά τη διεύθυνση x, βλ. Σχ. 6.

    Το φαινόµενο της διάχυσης περιγράφεται µαθηµατικά από τους νόµους του Fick. O 1ος νόµος του Fick αναφέρεται σε διάχυση υπό συνθήκες συγκέντρωσης χρονικά σταθερές, ενώ ο 2ος νόµος του Fick περιγράφει τη διάχυση υπό συνθήκες συγκέντρωσης χρονικά µεταβαλλόµενες.

    Σχήµα 6: ∆ιάχυση και βάθµωση συγκέντρωσης

    διαχεόµενου στοιχείου

    Πρώτος νόµος του Fick (Σχ. 7)

    Μαθηµατική έκφραση: dCdx

    = − ⋅J D (2) όπου: J η “καθαρή” ροή ατόµων (σε atoms/m2.s) dC/dx η βάθµωση της συγκέντρωσης διαχεοµένων ατόµων (σε atoms/m3.m) D o συντελεστής διάχυσης (σε m2/s), ο οποίος εκφράζει την ικανότητα των ατόµων προς

    διάχυση και διέπεται από τη σχέση: (3) q / kToD D e−=

    q η ενέργεια ενεργοποίησης διαχεοµένου ατόµου (σε J/mol) T η απόλυτη θερµοκρασία (σε K) του συστήµατος διάχυσης R η παγκόσµια σταθερά των αερίων (=1.987 J/mol K) Do χαρακτηριστική σταθερά του συστήµατος διάχυσης, βλ. παρακάτω. ΣΗΜΕΙΩΣΗ:Το πρόσηµο (−) στη σχέση (1) τίθεται για να δηλώσει φορά της διάχυσης από θέσεις µεγαλύτερης συγκέντρωσης ατόµων διαχεοµένου στοιχείου προς θέσεις µικρότερης συγκέντρωσης.

    4

  • Σχήµα 7: Πρώτος νόµος του Fick

    Στο Σχ. 8 παρουσιάζεται η µεταβολή του συντελεστή διάχυσης D διαφόρων συστηµάτων

    διάχυσης µε τη θερµοκρασία.

    Σχήµα 8: Μεταβολή του συντελεστή διάχυσης (D) µε τη θερµοκρασία

    5

  • ∆εύτερος Νόµος του Fick (Σχ. 9)

    Σχήµα 9: Εξήγηση του 2ου Νόµου Fick

    Μαθηµατική έκφραση: 2

    2C Dt x

    C∂ ∂= ⋅

    ∂ ∂ (4)

    όπου: C η συγκέντρωση διαχεοµένων ατόµων x η απόσταση t o χρόνος D o συντελεστής διάχυσης.

    6

  • ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΙ ΧΑΛΥΒΩΝ ΣΕ ΣΤΕΡΕΑ ΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΓΕΝΙΚΑ

    Οι µετασχηµατισµοί που λαµβάνουν χώρα σε στερεά κατάσταση χαρακτηρίζονται από: (i) Την παρουσία του φαινοµένου της διάχυσης (περλιτικός µετασχηµατισµός). (ii) Την πλήρη απουσία διάχυσης (µαρτενσιτικός µετασχηµατισµός). (iii) Ενδιάµεση κατάσταση µεταξύ των δύο προηγούµενων µετασχηµατισµών (µπαινιτικός µετασχη-

    µατισµός). Σηµαντική επίδραση στην ανάπτυξη και εξέλιξη ενός µετασχηµατισµού σε στερεά κατάσταση

    έχει ο ρυθµός απόψυξης του κράµατος, όπως παρουσιάζεται στο Σχ. 10.

    Σχήµα 10: Επίδραση της ταχύτητας απόψυξης στους µετασχηµατισµούς χάλυβα σε στερεά κατάσταση.

    Σε ένα διαχυτικό µετασχηµατισµό υφίστανται δύο στάδια εξέλιξης:

    • Η πυρηνοποίηση: Σχηµατισµός υποµικροσκοπικών σωµατιδίων (πυρήνες) νέας φάσης σε θέσεις συγκέντρωσης διαταραχών ή στα όρια κόκκων.

    • Η ανάπτυξη: Βαθµιαία ανάπτυξη των πυρήνων σε µέγεθος εις βάρος του όγκου της µητρικής φάσης. Επειδή η ολοκλήρωση ενός διαχυτικού µετασχηµατισµού στερεάς κατάστασης απαιτεί πάρα

    πολύ χρόνο (κυρίως στις χαµηλές θερµοκρασίες) για να ολοκληρωθεί, το σύστηµα θεωρείται ότι πρακτικά παραµένει σε κατάσταση εκτός ισορροπίας (δηλ. απαιτείται άπειρος χρόνος ολοκλήρωσης µετασχηµατισµού). Η µελέτη του µετασχηµατισµού ενός κράµατος σε σταθερή θερµοκρασία (ισοθερµοκρασιακός µετασχηµατισµός) οδηγεί στην κατασκευή µιας καµπύλης που συνδέει το ποσοστό µετασχηµατισµού µε τον χρόνο. Η καµπύλη αυτή, λόγω της µορφής της, ονοµάζεται σιγµοειδής καµπύλη ή διάγραµµα-S, βλ. Σχ. 11.

    Σχήµα 11: Σιγµοειδής καµπύλη χάλυβα (διακρίνονται σαφώς όλα τα στάδια εξέλιξης: επιτάχυνση, ταχεία κινητική εξέλιξη και επιβράδυνση)

    7

  • Η πρόοδος του µετασχηµατισµού παρακολουθείται είτε µε παρατήρηση των συστατικών στο µικροσκόπιο είτε µε µέτρηση της τιµής κάποιας χαρακτηριστικής φυσικής ιδιότητας της νέας φάσης, π.χ. ηλεκτρική αγωγιµότητα.

    ΠΕΡΛΙΤΙΚΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ

    Λαµβάνει χώρα σε θερµοκρασία Τ

  • • Μείωση της ολκιµότητας και της δυσθραυστότητας (οι διεπιφάνειες φερρίτη/σεµεντίτη λειτουργούν ως θέσεις πυρήνωσης ρηγµάτων που περιορίζουν την πλαστικότητα του χάλυβα).

    ΠΙΝΑΚΑΣ 1. Στάδια περλιτικού µετασχηµατισµού

    Στάδιο Ι • Σχηµατισµός πυρήνων σεµεντίτη στα όρια των κόκκων ωστενίτη.

    • Εκατέρωθεν κάθε πυρήνα δηµιουργούνται ζώνες φτωχές σε άνθρακα.

    Στάδιο ΙΙ • Εµφάνιση πυρήνων φερρίτη στις φτωχές σε C ζώνες που αναπτύσ-σονται παράλληλα προς τους πυρήνες Fe3C.

    • Λόγω της µικρής διαλυτότητας του C µέσα στο φερρίτη, αυτός εκθλίβεται προς τα έξω και συµβάλλει στην ανάπτυξη ζωνών εµπλουτισµένων σε C.

    Στάδιο ΙΙΙ • ∆ηµιουργία νέων πυρήνων Fe3C

    στις εµπλουτισµένες µε C ζώνες. • Ταυτόχρονη ανάπτυξη σε µήκος

    των ήδη υφισταµένων ζωνών. • Επανάληψη της διαδικασίας των

    προηγούµενων σταδίων.

    ΜΑΡΤΕΝΣΙΤΙΚΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ Γενικά χαρακτηριστικά • Είναι µετατοπιστικός, δηλαδή πραγµατοποιείται µε “συνεργατική” µετατόπιση των ατόµων,

    ώστε να διατηρείται πλήρης αντιστοιχία µεταξύ αρχικών και τελικών πλεγµατικών θέσεων. • Είναι µη διαχυτικός, δηλαδή δεν απαιτείται διάχυση ατόµων για την πραγµατοποίησή του. • Από κινητικής απόψεως, ο µηχανισµός εξελίσσεται σχεδόν ακαριαία σε εσωτερικά σηµεία του

    συνολικού όγκου και σε προκαθορισµένες διευθύνσεις της αρχικής φάσης. • Από απόψεως δοµής, χαρακτηρίζεται από τη σχέση ενός προσανατολισµού µεταξύ αρχικής και

    τελικής φάσης. Μέταλλα και κράµατα που αναπτύσσουν µαρτενσιτικό µετασχηµατισµό • Τα αλλοτροπικά µέταλλα (Co, Ti, Zr, Li). • Οι χάλυβες. • Τα σιδηρούχα κράµατα Fe+Ni, Fe+Mn, Fe+Ni+C. • Τα κράµατα χαλκού Cu+Zn, Cu+Al. • Τα κράµατα τιτανίου. Η σηµασία της ταχύτητας απόψυξης στον µαρτενσιτικό µηχανισµό

    Στους χάλυβες ο µαρτενσιτικός µετασχηµατισµός λαµβάνει χώρα κατά την απότοµη ψύξη (βαφή) του ωστενίτη.

    Η ταχύτητα απόψυξης (V) πρέπει να είναι µεγαλύτερη από µια κρίσιµη τιµή (Vc), ώστε να µην ενεργοποιούνται διαχυτικοί µετασχηµατισµοί.

    Η κρίσιµη ταχύτητα απόψυξης εξαρτάται από την π(C), την περιεκτικότητα σε κραµατικά στοιχεία και το µέγεθος του κόκκου ωστενίτη. Θερµοκρασιακή περιοχή του µαρτενσιτικού µετασχηµατισµού Λαµβάνει χώρα µεταξύ δύο χαρακτηριστικών θερµοκρασιών, της θερµοκρασίας έναρξης (ΜS) και της θερµοκρασίας λήξης (Μf) του µαρτενσιτικού µετασχηµατισµού.

    Το ποσοστό µαρτενσίτη αυξάνεται µε µείωση της θερµοκρασίας σύµφωνα µε την εµπειρική σχέση: , όπου α σταθερά και Τ η θερµοκρασία (ΜS( T( ) 1 e−α Μ −µ Τ = − ) S< Τ

  • Η θερµοκρασία έναρξης (ΜS) εξαρτάται κυρίως από τη σύσταση του χάλυβα και κυµαίνεται από πολύ υψηλές τιµές (500οC) µέχρι πολύ µικρές τιµές (κάτω από τη θερµοκρασία δωµατίου), ενώ η θερµοκρασία λήξης (Μf) µπορεί να παίρνει και αρνητικές τιµές, βλ. Σχ. 13. Πειραµατικά προσδιορίζεται από την αλλαγή των µαγνητικών ιδιοτήτων του χάλυβα (ο ωστενίτης είναι αµαγνητικός ενώ ο µαρτενσίτης µαγνητικός).

    Η θερµοκρασία λήξης (Μf) δεν συµπίπτει πάντοτε µε την ολοκλήρωση του µαρτενσιτικού µετασχηµατισµού.

    Το ποσοστό ωστενίτη που δεν µετασχηµατίζεται ονοµάζεται παραµένων ωστενίτης.

    Σχήµα 13: Μεταβολή των Μs, Mf συναρτήσει της π(C).

    Σχηµατισµός και µορφολογία του µαρτενσίτη H εξέλιξη του µετασχηµατισµού γίνεται όχι µε ανάπτυξη των υφισταµένων µετασχηµατι-σµένων περιοχών, αλλά µε εµφάνιση µαρτενσίτη σε νέες περιοχές.

    Ο µαρτενσίτης κρυσταλλώνεται στο χωροκεντρωµένο τετραγωνικό σύστηµα (BCT). Η τετραγωνικότητα οφείλεται στις παραµορφώσεις που προκαλεί η κατάληψη οκταεδρικών θέσεων από τον άνθρακα (C) στο BCT κρυσταλλικό σύστηµα και εξαρτάται από την π(C). Μορφολογικά ο µαρτενσίτης µπορεί να εµφανίζεται ως: • Πλακοειδής µαρτενσίτης σε παράλληλες δέσµες πάχους 0.1 µ, που περιέχουν µεγάλη ποσότητα

    διαταραχών. • Βελονοειδής µαρτενσίτης, στο εσωτερικό του οποίου οι µαρτενσιτικές περιοχές δεν είναι

    παράλληλες, αλλά σχηµατίζουν µεταξύ τους απόλυτα καθορισµένες γωνίες. Η παραµόρφωση µορφής στον µαρτενσιτικό µετασχηµατισµό

    Η παραµόρφωση µορφής (S=ΒRL) αποτελείται από 3 συνιστώσες Β, R, L. • H παραµόρφωση Bain (B) είναι η συνιστώσα της οµογενούς παραµόρφωσης πλέγµατος (BR)

    που µετατρέπει το εδρoκεντρωµένο κυβικό σύστηµα (FCC) του ωστενίτη στο χωροκεντρωµένο τετραγωνικό σύστηµα (BCT) του µαρτενσίτη.

    • H περιστροφή (R) είναι η συνιστώσα της οµογενούς παραµόρφωσης πλέγµατος που προκύπτει από τη σύζευξη της µετασχηµατιζόµενης περιοχής µε την ωστενιτική φάση.

    • Η συµπληρωµατική παραµόρφωση ή παραµόρφωση αµετάβλητου πλέγµατος (L) που πραγµατοποιείται µε ολίσθηση αταξιών ή µε σχηµατισµό διδυµιών στο µαρτενσιτικό κρύσταλλο, χωρίς να µεταβάλλει την κρυσταλλική δοµή, βλ. Σχ. 14.

    Ο µηχανισµός ισχυροποίησης του χάλυβα κατά τον µαρτενσιτικό µετασχηµατισµό

    Ο χάλυβας στον οποίο έχει σηµειωθεί µαρτενσιτικός µετασχηµατισµός παρουσιάζει δραµατική αύξηση της σκληρότητας. Τούτο οφείλεται σε µεγάλο βαθµό στην παρουσία ατόµων C σε θέσεις παρεµβολής στο BCT κρυσταλλικό πλέγµα του µαρτενσίτη. Ο άνθρακας καταλαµβάνει τις ίδιες θέσεις παρεµβολής στον ωστενίτη και στον µαρτενσίτη. Όµως, ενώ στον ωστενίτη προκαλεί

    10

  • συµµετρικές παραµορφώσεις, στον µαρτενσίτη προκαλεί µη συµµετρικές παραµορφώσεις που είναι το κατ’ εξοχήν αίτιο για την ισχυροποίηση του στερεού διαλύµατος.

    Ολίσθηση αταξίας Ολίσθηση διδυµίας Σχήµα 14

    ΜΠΑΙΝΙΤΙΚΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΣ

    Συνδυάζει χαρακτηριστικά διαχυτικού και µη διαχυτικού µετασχηµατισµού και λαµβάνει χώρα στη θερµοκρασιακή περιοχή (Μs, 550oC). Ο µηχανισµός περιλαµβάνει πυρηνοποίηση φερρίτη µετά από διάτµηση του κρυσταλλικού πλέγµατος του ωστενίτη, που συνοδεύεται από διάχυση των ατόµων C σε µικρή απόσταση µέσα στο φερρίτη και ανακατανοµή των ατόµων C µέσα στον ωστενίτη (εµπλουτισµός).

    Το κύριο προϊόν είναι ο µπαινίτης, ο οποίος ανάλογα µε τη θερµοκρασία σχηµατισµού του διακρίνεται σε ανώτερο µπαινίτη (400-500oC) και κατώτερο µπαινίτη (250-400oC).

    Η παρουσία του µπαινίτη στους χάλυβες είναι επιθυµητή, διότι εξασφαλίζεται πολύ καλή µηχανική αντοχή και καλή ολκιµότητα.

    Ο ανώτερος µπαινίτης σχηµατίζεται σε δύο στάδια όπως περιγράφεται στο Σχ. 15 και είναι σκληρότερος από τον περλίτη. Στάδιο Ι

    Πυρήνωση και ανάπτυξη λεπτών πλακιδίων φερρίτη (φάση-α), µε παράλληλο εµπλουτισµό του ωστενίτη (φάση-γ) σε άνθρακα (C).

    Στάδιο ΙΙ

    Ο εµπλουτισµός του ωστενίτη σε C οδηγεί σε καθίζηση σεµεντίτη (Fe3C) µεταξύ των πλακιδίων του φερρίτη.

    Σχήµα 15: Στάδια σχηµατισµού ανώτερου µπαινίτη

    Ο κατώτερος µπαινίτης σχηµατίζεται σύµφωνα µε τα στάδια που περιγράφονται στο Σχ. 16.

    11

  • Στάδιο Ι

    Πυρήνωση και ανάπτυξη λεπτών πλακιδίων φερρίτη (φάση-α) στην ωστενιτική περιοχή σε καθορισµένες προτιµητέες διευθύνσεις µέσα στα οκταεδρικά επίπεδα του fcc πλέγµατος, µετά από διάτµηση του κρυσταλλικού πλέγµατος του ωστενίτη.

    Στάδιο ΙΙ

    Καθίζηση σεµεντίτη µέσα στο φερρίτη), µε παράλληλο εµπλουτισµό του ωστενίτη (φάση-γ) σε άνθρακα αλλά σε µικρότερο ποσοστό απ’ ό,τι στον ανώτερο µπαινίτη.

    Στάδιο ΙIΙ

    Ο εµπλουτισµός του ωστενίτη σε C οδηγεί σε καθίζηση σεµεντίτη (Fe3C) και µεταξύ των πλακιδίων του φερρίτη.

    Σχήµα 16: Στάδια σχηµατισµού κατώτερου µπαινίτη

    12

  • ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΑ TTT ΚΑΙ CCT ΟΡΙΣΜΟΙ ∆ιάγραµµα ΤΤΤ είναι διάγραµµα θερµοκρασίας – χρόνου, στο οποίο αποτυπώνεται η έναρξη και η λήξη των ισόθερµων µετασχηµατισµών των χαλύβων. ∆ιάγραµµα CCT είναι διάγραµµα θερµοκρασίας – χρόνου, στο οποίο αποτυπώνεται η έναρξη και η λήξη των µετασχηµατισµών κατά τη συνεχή απόψυξη των χαλύβων. Χαρακτηριστικά διαγράµµατα TTT και CCΤ για ευτηκτοειδή χάλυβα παρουσιάζονται στο Σχ. 17.

    Σχήµα 17: (α) ∆ιάγραµµα ΤΤΤ, (β) ∆ιάγραµµα CCT για ευτηκτοειδή χάλυβα

    ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΟΣ ΤΤΤ Στο Σχ. 18 περιγράφεται ο τρόπος κατασκευής ενός διαγράµµατος ΤΤΤ µε τη βοήθεια των σιγµοειδών καµπυλών σε συγκεκριµένη θερµοκρασία.

    ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ 1. Για δεδοµένη θερµοκρασία (έστω 675οC) κατασκευάζεται η αντίστοιχη σιγµοειδής καµπύλη. 2. Σηµειώνονται επί της σιγµοειδούς καµπύλης τα σηµεία µε τα αντίστοιχα ποσοστά µετασχηµατισθέντος ωστενίτη, έστω 0%, 50% και 100%. 3. Από τα παραπάνω σηµεία άγονται κατακόρυφες προς το κάτω διάγραµµα που τέµνουν την ισοθερµοκρασιακή των 675οC στα σηµεία 1, 2 και 3 αντίστοιχα. 4. Επαναλαµβάνοντας την ίδια εργασία για µεγάλο αριθµό θερµοκρασιών, κατασκευ-άζεται το διάγραµµα ΤΤΤ του εν λόγω χάλυβα. Σχήµα 18: Κατασκευή διαγράµµατος ΤΤΤ

    13

  • ΣΥΓΚΡΙΣΗ ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΩΝ ΤΤΤ ΚΑΙ CCT

    ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ

    • Το διάγραµµα ΤΤΤ διαβάζεται κατά µήκος του άξονα των χρόνων (t).

    • To διάγραµµα CCT διαβάζεται κατά µήκος των καµπυλών απόψυξης, όπως οι καµπύλες R και S στο Σχ. 17(β).

    • Οι καµπύλες του διαγράµµατος CCΤ σε σχέση µε τις αντίστοιχες του διαγράµ-µατος ΤΤΤ είναι µετατοπισµένες προς χαµηλότερες θερµοκρασίες και µεγαλύτε-ρους χρόνους, δηλ. µετατοπίζονται προς τα κάτω και δεξιά.

    Σχήµα 19: Σύγκριση διαγραµµάτων TTT και CCT χαλύβων

    ΠΡΟΣ∆ΙΟΡΙΣΜΟΣ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΩΝ ΧΑΛΥΒΑ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΤΩΝ ∆ΙΑΓΡΑΜΜΑΤΩΝ ΤΤΤ ΚΑΙ CCT (Σχ. 20)

    A: Περλίτης B: Μίγµα περλίτη/µαρτενσίτη Γ: Μαρτενσίτης

    ∆ιάγραµµα ΤΤΤ ∆ιάγραµµα CCT Σχήµα 20

    14

  • H ΕΠΙ∆ΡΑΣΗ ΤΩΝ ΚΡΑΜΑΤΙΚΩΝ ΣΤΟΙΧΕΙΩΝ Ταξινόµηση των στοιχείων κραµάτωσης των χαλύβων (Σχ. 21)

    Γαµµαφερρογόνα (Mn, Ni, Co) είναι τα κραµατικά στοιχεία που επιφέρουν διεύρυνση της περιοχής σταθερότητας του ωστενίτη (γ-φάση) µε ελάττωση των κρίσιµων θερµοκρασιακών περιοχών µετασχηµατισµού.

    Αλφαφερρογόνα (Cr, Si, Mo, W, V, Al, Ti, Nb) είναι τα κραµατικά στοιχεία που επιφέρουν διεύρυνση της περιοχής σταθερότητας του φερρίτη (α-φάση) και παράλληλη συρρίκνωση της περιοχής σταθερότητας του ωστενίτη, µε αύξηση των θερµοκρασιών µετασχηµατισµού.

    Καρβιδιογόνα (Mn, Cr, Mo, W, V, Nb, Ti) είναι κραµατικά στοιχεία που έχουν την τάση να σχηµατίζουν καρβίδια.

    Γραφιτίζοντα (Si, Ni, Al) είναι τα στοιχεία που καταλύουν την αντίδραση διάσπασης του σεµεντίτη, δηλ. αναστέλλουν τη δηµιουργία καρβιδίων.

    (α)

    (β) Σχήµα 21: Επίδραση των στοιχείων κραµάτωσης στο διµερές

    διάγραµµα Fe-C (α) γ–φερρογόνα, (β)α-φερρογόνα στοιχεία

    Η θερµοκρασία έναρξης µαρτενσιτικού µετασχηµατισµού (ΜS) εξαρτάται από τη σύσταση του

    χάλυβα ως εξής: Τα γ-φερρογόνα µειώνουν τη ΜS διότι απαιτείται µεγαλύτερη χηµική κινούσα δύναµη για την πυρήνωση, ενώ τα α-φερρογόνα τη µειώνουν επίσης λόγω ισχυροποίησης του στερεού διαλύµατος στον ωστενίτη που παρεµποδίζει την ολίσθηση των αταξιών.

    Η επίδραση των κραµατικών στοιχείων απεικονίζεται στην ακόλουθη εµπειρική σχέση για τον προσδιορισµό της ΜS

    ΜS=539 - 463C - 30.4Mn - 17.7Ni - 12.1Cr - 7.5Mo Επίδραση των στοιχείων κραµάτωσης στα διαγράµµατα ΤΤΤ και CCT

    Αύξηση του ποσοστού C µετατοπίζει τις καµπύλες προς τα δεξιά. Προσθήκη καρβιδιογόνων στοιχείων κραµάτωσης προκαλεί:

    • Μετατόπιση της προεξοχής µετασχηµατισµού του ωστενίτη σε περλίτη/µπαινίτη προς τα δεξιά. • Σχηµατισµό διαφορετικής προεξοχής για τον µπαινίτη και πλήρη διαχωρισµό περλιτικής και

    µπαινιτικής περιοχής. Τα α-φερρογόνα στοιχεία µετατοπίζουν τις καµπύλες προς τα δεξιά, χωρίς να µεταβάλλουν τη µορφή τους. Τα γ-φερρογόνα στοιχεία προκαλούν επίσης µετατόπιση προς τα δεξιά που είναι πιο σηµαντική στην περλιτική περιοχή από ό,τι στη µπαινιτική.

    15

  • Επίδραση των στοιχείων κραµάτωσης στον ευτηκτοειδή µετασχηµατισµό (Σχ. 22)

    (α) (β) Σχήµα 22: Επίδραση των κραµατικών στοιχείων στον ευτηκτοειδή

    µετασχηµατισµό: (α) Στην ευτηκτοειδή θερµοκρασία,

    (β) στην ευτηκτοειδή σύσταση.

    16

  • Χαρακτηριστικά µικρογραφήµατα

    Μπαινίτης

    17