Etapas amplificadoras básicas con BJT - Facultad de Ciencias … 9... · 2007-08-08 ·...
Transcript of Etapas amplificadoras básicas con BJT - Facultad de Ciencias … 9... · 2007-08-08 ·...
FCEIA FCEIA FCEIA --- UNRUNRUNRProf. María Isabel Schiavon
Electrónica I
EtapasEtapasEtapas amplificadorasamplificadorasamplificadorasbásicas básicas básicas con BJTcon BJTcon BJT
iC [mA]ICMÁX @ βmín
Estable e independientede la dispersión
de los parámetros
Mínima disipación de potencia
Compatible con la excursión de señal de salida requerida
Punto de Trabajo
vCE[V]
iC [mA]
PMÁX
100
10
β
BVCEO
PMÁX
ICMÁX
Zona ActivaJBE PD - JCB PI
BJT polarizado Punto de Trabajo ICQ VCEQ
Superposición condicionada alrededor del punto de trabajo
BJT funciona linealmente
iB [µa]
vBE [V]
IBQ
vCE [V]
iC [mA]
VCC/R
ICQ
VCEQ VCC
modelo en pequeña señal
modelo lineal para el BJT
gmvπrorπvπ
+
_
vce
+
_
b c
e
ib
bbeb
iv
vir π
−
π =
∂∂
=1
π==
∂∂
= rβ
vβi
vig
beb
bec
m
TT VVQQ C
mbembeC
cI
gvgvI
i =⇔=≈
ΛΛ+++≈ 2be
Cbe
CCC v
Iv
IIi QQ
Q TT V2!1
VA
Co
cce
o
V
I
iv
Q
Q
r
r
−=
=CEV
TTT VVVbe
Q
beQBEBE
v
C
vV
s
v
sC eIeIeIi ==≈
+
Tensión Early
Tensión Early
modelo BJT en pequeña señal
gmvπrorπvπ
+
_
vce
+
_
b c
e
ib
b'rx
1
A
Coo V
IQrz
−
−==
QBJT CI
Ti
βVrz == π
TVQC
mI
g =
βrg m =π
Si ICQ==1mA VA≈-200V
zo≈200KΩSi ICQ==1mA VA≈
-200V
zo≈200KΩ
Si ICQ==1mA β≈200zi ≈ 5KΩ gm= 0, 04A/V
Si ICQ==1mA β≈200zi ≈ 5KΩ gm= 0, 04A/V
BJT en pequeña señal
VCC
RC
RB
Q
Q
Q
B
C
CE
I
I
V
( )-Q QB CC BE BI V V R=
( )-Q QC CC CE CI V V R=
recta polarización
recta de carga
Característica de entrada Característica de salida
vCE [V]
iB [µa]
vBE [V]
iC [mA]
VCC/R
ICQ
VCEQ VCC BVCEo
IBQ
Q
CE
CC
RRV+
iC [ma]
CCVvCE [V]
CC CEC
E C
V vi
R R−
=+
21
1CCBB RR
RVV+
=
21
CCB RR
VI+
<<
QCB
II
β=
R
bQ1
VCC
e
c
RR1
R2C
E
Q
Q Q
BB BEE C
E
V VI I
R
−= ≈
Zona activa
El circuito fija la corriente
de emisor
VCEQ≈VCC/2
Clase A
Evita embalamiento térmico,estabiliza punto de trabajo
CC CEBJT C CE CE
E C
V vp i v v
R R−
≈ ≈+
Si vCE=Vcc/2 ⇒ PMÁX
Si vCE< Vcc/ 2
cuando IC aumentaPBJT disminuye
Si vCE> Vcc/2cuando IC aumentaPBJT aumenta
Disipación de Potencia
VCC
IB
vCE
iC pBJT
Q
PMÁX=f(vCE)
CC CEC
E C
V viR R
−=
+
( ) ( )( )
11
BB BE CO BC
E B
V V I Ri
R Rβ β
β− + +
=+ +
( )C B COi i 1 Iβ β= + +BJT en
zona activa
R
bQ
VCC
e
C
RR1
R2C
E
R
bQ
VCC
e
C
R
R
C
E
B
VBB
iB
B B E E BB BEi R i R V V+ = −
B C Ei i i+ =
1si β >> ( )BB BEC
E
V Vi
R−
≈
Independiente características BJT
estabilidad recta de carga
B ER Rβ<<
21 2
CCBB
VV RR R
=+
1 2BR R R= //thevenin
2 1 1R B R Ri i i i= + ≈
Criterios a tener en cuenta para la polarización
Criterios
VCEQ≈VCC/2
Adopción punto de trabajo ICQ
Elección BJT
Adopción VCC
RB << β RE1 2BR R R= //
1,2
2
1 2 1 2Q
CC CCB R BBMÁX
V V Rsi I i VR R R R
<< ≈ ⇒ =+ +
R
bQ
VCC
e
C
RR1
R2C
E
iR1
iR2
iB
Elegida ICQconsiderando βmín
IBQMÁX = ICQ / βmín
R
bQ1
VCC
e
c
R
R2C
E
CC CEC
E C
V vi
R R−
=+
C Ei i1
ββ
=+
( ) ( )( )
CC BE CO 2C
2 C E
V V I 1 Ri
R R Rβ β
β− + +
=+ +
( )C B COi i 1 Iβ β= + +
Para independenciadel β
( )2 C ER R Rβ<< +
Difícil cumplimiento
( )2 C ER R Rβ≈ +
Otro posible circuito
BJT Polarizado
R
bQ1
VCC
e
c
RR1
R2C
Eemisor común
base común
colector común
Terminal común
terminal de excitaciónterminal de salida
Etapas amplificadoras básicas
R
bQ1
VCC
+vi_
+
_
vse
c
C
Cs
i
RR1
R2C
E
emisor común
bQ
VCC
+vi_
+
_vs
e
c
CCs
i
RR1
R2
E
colector comúnEtapas básicasamplificadoras
R
bQ
VCC
+
_
vse
CCs
RR1
R2C
E
+vi
_
Ci
base común
oi
i
iA
i=
ov
i
vA v=+vi-
+vo-
+
zo
Avvi
zi
ioiiii
i
vz i=
0i
oo
o v
vz
i=
=
R
bQ1
VCC
+vi_
+
_
vse
c
C
Cs
i
RR1
R2C
E
gmvπro
R c
rπ
vi
+
_
vs
+
_R E
R B
21B //RRR =
Emisor
común
= +cec m
o
vi g vr π
i c Ev v i Rπ = −o c Cv = - i R
Emisor común
1m C C
m E E
g R RAv g R R≈ − ≈ −
+
0i
so C
s v
vz Ri
=
= ≈( )// 1i B m E Bz R r g R Rπ≈ + ≈
R
bQ1
VCC
+vi_
+
_
vse
c
C
Cs
i
RR1
R2C
E
CE
v m cA g R≈ −
//i Bz R r rπ π≈ ≈
o Cz R≈
Emisor común concapacitor de emisor rπ
vi
+
_
+
_
RBgmvπ vs
RC
Colector común
bQ
VCC
+vi_
+
_vs
e
c
CCs
i
RR1
R2
E
COLECTOR
COMÚN gmvπ
ro
rπvi
+
_
vs
+
_
R ER B
( )
BEBi
EmBi
ii
RRRz
Rg1rRivz
≈≈
+≈=
β
π
//
//
1m
mE
0vs
oo g
gRr
ivz
i
−
=
≈≈=1////π
( )( ) 1
Rg1Rg
rg1Rrrg1R
ivA
Em
Em
mE
mE
i
sv ≈
+≈
+++
≈=ππ
π
Base comúnBASE
COMÚN
R
bQ
VCC
+
_
vse
CCs
RR1
R2C
E
+vi
_
Ci
≈1iA
gmvπro
Rc
rπ
ve+
_
vs
+
_R E
RB
21B //RRR =CB
+vπ-
zo depende de Rs
Si Rs= resistencia generador
*E
o o mB
Rz r 1 g rr Rππ
= + +
( )* // //E s E BR R R r Rπ= +
( )o o m Ez r 1 g R= +
// 1m
B Bi E
m
r R r Rz R1 g r
g1
π π
π β−+ +
≈+ +
≈;
v m m ccB
rA g Rr
RR
gπ
π +≈≈
ccec
fuente de corriente o
carga activa
RER1
V
R2Io
( )m Ez r 1 g Ro o≈ +
adaptador de impedancia amplifica corriente
amplificador de tensióny corriente
bc
≈=e
sv v
vA 1
BR≈zi ≈ BR ERβ//
ER ≈oz πr // // 1mg
-1mg≈
BB BEo
E
V VIR−
=
resumen
m C Cv
m E E
g R RA1 g R R
≈ − ≈ −+
( )//i B m E
i B
z R r 1 g R
z Rπ≈ +
≈
o Cz R≈
R
bQ
VCC
e
C
RR1
R2C
E
Otros criterios a tener en cuenta
Criterios
Cv
E
RA
R≈ −
E CR R<
ec
cc RC=0
zi = R1//R2 ≈ RBb
Q
VCC
+vi_
+
_vs
e
c
CCs
i
RR1
R2
E
R
bQ1
VCC
+vi_
+
_
vse
c
C
Cs
i
RR1
R2C
E
emisor comúnbase común
colector común
BJTfuente comúnpuerta comúndrenaje común
FET
Terminal comúnterminal de excitaciónterminal de salida
Etapasamplificadoras
básicasFET PolarizadoBJT Polarizado
Etapas básicas
Amplificador de tensión
ec-scec
( ) BEB RRR ≈+≈ π mgriz 1//
E
c
E
c
RR
RR −≈
+−≈
m
mv g
gA1
CR≈==0ivs
so i
vz
emisor común
o m Dv
i m S
v g RA
v 1 g R−
= ≈+
i
oo D
o e 0
vz R
i=
≡ ≈
//i G iFET Gz R z R= ≈
sc fuente común
Adaptador de impedancia
amplifica corriente
cc
BR≈zi ≈ BR ERβ//
vA ≈ m ERg
R+ Emg1≈ 1
≈oz -1mg
1<+
≈Sm
Smv Rg1
RgA
1mo gz −≈
21Gi RRRz //==
dccc-dccolector común drenaje común