BÀI T P4.1 H c tuy n cho vùng làm vi c c a transistor hi u ng tr ng kênh-n c th cóth g n úng b ng ph ng trình: ( ) mA450 2

GSv,iD += , khi duy trì các i u ki n: RS =500Ω, RD = 2kΩ, Rin = 100kΩ, IDQ= 5mA, và VDD = 20V. Hãy xác nh các thông ssau:a) VGSQ; b) VD; c) VDSQ; d) R1 + R2. D a trên m ch hình P4.1.4.2 Trong m ch hình 4.16a, khi có R1 = 21kΩ, R2 = 450kΩ, RS = 500Ω, RD =1,5kΩ, RL = 4kΩ, và VDD = 12V, xác nh các thông s sau khi VDSQ = 4V:a) IDQ; b) VGSQ; c) Rin; d) Av khi gm = 3,16mS; e) Ai.4.3 Trong m ch hình 4.16a, RD = 2kΩ, RL = 5kΩ, Rin = 100Ω, RS = 300Ω, và VDD = 15V. Xác nhcác tr s c a R1 và R2 c n thi t transistor làm vi c m c 4mA khi VGSoff = - 4V và IDSS = 8mA.Tính h s khuy ch i n áp và dòng i n c a m ch khuy ch i.

4.4 a) Thi t k m ch khuy ch i CS (hình P4.1) s d ng JFET kênh-p áp ng các thông s yêu c ulà Av = - 10 và Rin = 20kΩ. Gi thi t là i m-Q c ch n t i IDQ = - 1mA, VDSQ = -10V, VGSQ = 0,5V.

b) Tính Ai, R1, R2, RS, và RD. (D a vào c tuy n hình P4.2.u ý r ng có th có chia tách RS và m ch r cho RS.

4.5 L p l i bài t p 4.4 khi RL là 20kΩ c m c vào c cmáng qua m t t ghép. Chú ý là có th c n ph i ch n m-Qkhác.4.6 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng MOSFET nhm ch hình P4.3. Cho RL = 1kΩ, Av = - 1, Rin = 15kΩ. i m-Q c ch n t i VGSQ = 3V, IDQ = 7mA, VDSQ = 10V, trong ógm = 2300µS. Xác nh các tr s cho t t c các c u ki n cònl i.4.7 Thi t k m ch khuy ch i

CS s d ng JFET kênh-n cho ki u m ch nh hình P4.4, v i Av = - 1, VDD

= 12V, RL = 1kΩ, Rin = 15kΩ, IDSS = 10mA, và VGSoff = - 4V. S d ng IDQ= IDSS / 2.4.8 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng JFET kênh-n khi có RL = 4kΩ,Av = - 3, và Rin = 50kΩ. Gi s là transistor s d ng có VGSoff = - 4,2V vàIDSS = 6mA. S d ng m ch hình P4.4 v i VDD = 20V. Xác nh Ai.4.9 Thi t k m ch khuy ch i CS b ng JFET kênh-n có AV = -2, Ai = -20,VDD = 12V, và RL = 5kΩ. Xác nh t t c các tr s c u ki n và m c công su t nh m c c a transistor.

(m ch có th c n ph i thay i áp ng thi t k ). Transistor c ch ncó VGSoff = - 5V và IDSS = 8mA. S d ng IDQ = 0,4IDSS và VDSQ = VDD/2.Xem m ch hình P4.4.4.10 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i AV = - 4, Ai = -40, RL = 8kΩ, và VDD = - 16V. Transistor c ch n có VGSoff = 3V và IDSS= - 7mA, s d ng IDQ = 0,3IDSS và VDSQ = VDD/2. S d ng m ch hìnhP4.4. Xác nh công su t nh m c c a transistor.4.11 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i t i là 5kΩ, s

d ng m ch hình P4.4. Cho VDD = - 20V, AV = - 2, Ai = - 20, VGSoff = 6V và IDSS = - 5mA. Xác nhcông su t nh m c c a transistor.4.12 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor3N128 (ph l c D) cho t i là 10kΩ v i h s khuy ch i n áp Av = - 10. S d ng m ch hìnhP4.3. Ch n m-Q b ng cách s d ng h c tuy n th hi n các thông s k thu t khi Rin > 10kΩ.4.13 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor3N128 (ph l c D) cho t i là 2kΩ v i Av = - 4 và Rin > 100kΩ. Gi s r ng, m-Q ã c ch n làVGSQ = - 0,6V, VDSQ = 10V, IDQ = 10mA, VDD = 20V. Tham kh o m ch hình P4.3.4.14 Phân tích m ch khuy ch i b ng JFET kênh-n CS nh m ch hình P4.5, khi có t i là 20kΩ, RD

= 8kΩ, VDD = 24V, và Rin = 50kΩ. Ch n m-Q có VGSQ = - 1,5V, VDSQ = 12V, IDQ = 1mA, và gm =2,83mS. Hãy tính t t c các tr s c a c u ki n, Ai, và Av.

4.15 N u RS m ch hình P4.4, c r m ch b ng t , thì h s khuy ch i n áp là bao nhiêu ?Gi s r ng m-Q ã c ch n có gm = 1,5mS, RD = 3,2kΩ, và RL = 5kΩ. Xác nh h skhuy ch i dòng i n khi RS = 500Ω, R1 = 200kΩ, và R2 = 800kΩ.4.16 H s khuy ch i n áp Av c a m ch hình P4.4, là bao nhiêu n u tín hi u c cung c p vàom ch khuy ch i có n tr c a ngu n n áp là Ri = 10k ? Gi s r ng, RD = 10kΩ, và RL = 10kΩ,RS = 500Ω, gm = 2mS, R1 = 25kΩ, và R2 = 120kΩ.4.17 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng RS c r m ch b ng m t t n. VDD = 15V, RD = 2kΩ, RL =3kΩ, RS = 200Ω, R1 = 500kΩ, IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V. Hãy xác nh Av, Ai, Rin, và i m-Q chom ch khuy ch i.4.18 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 10kΩ, RS = 200Ω, R1 = 1MΩ, IDSS= 10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i.4.19 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 6kΩ, RS = 100Ω, R1 = 1MΩ, IDSS =10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i.4.20 Cho m ch khuy ch i CS nh hình P4.1, s d ng JFET có IDSS = 2mA, và gm0 = 2000µS. N utr s c a RD = 10kΩ, RL = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av là bao nhiêu i v i các giá tr c aVGSQ sau ây ?a) – 1V; b) – 0,5V; c) 0V.4.21 M ch khuy ch i CS hình P4.6, v i transistor có VGSoff = - 4V, IDSS = 4mA, và rDS = 500Ω.N u RD = 2kΩ, RL = 4kΩ, và RS = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av c a m ch là bao nhiêu n uVGSQ = - 1V ? Av s nh th nào khi rDS t n vô cùng ?4.22 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n CS nh m ch hình P4.3, khi có RL = 4kΩ,Av = - 5, và Ai = - 10. Gi s r ng, m-Q ã ch n có VDSQ = 10V, VGSQ = 4V, IDQ = 2mA, và gm =4000µS.4.23 Cho m ch nh hình P4.7, có Ri = 50kΩ, R1 = 100kΩ, R2 = 800kΩ, RD = 4kΩ, RL = 6kΩ, RS =200Ω, và VDD = 20V, xác nh các thông s sau khi s d ng FET có VDSQ = 6V, gm = 2,5mS:a) IDQ, VGG, và VGSQb) Av, Rin, và Ai.4.24 Cho m ch nh hình P4.7, n u lo i b R2, transistor FET làm vi c m c dòng là 2mA. Tr sc a các c u ki n là Ri = 100kΩ, R1 = 400kΩ, RD = 3kΩ, RL = 5kΩ, và VDD = 12V. Xác nh các thôngs sau khi s d ng transistor có IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V:a) RSb) Av, Rin, và Ai.

4.25 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) b ng JFET kênh-p nh hình P4.8, v i Rin =20kΩ, nh n c h s khuy ch i n áp Av g n b ng 1. Tính Ai, R1, R2, và RS. S d ng h ctuy n cho hình P4.2.

4.26 L p l i bài t p 4.25, khi có t i là 20kΩ c ghép t v i m ch khuy ch i.4.27 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET ki u máng chung (CD) khi có RL = 100Ω, Ai = 200,và Rin = 100kΩ. S d ng transistor có VGSoff = - 6V và IDSS = 20mA. Xác nh Av và giá tr c a t t ccác i n tr . M ch s d ng hình P4.9.4.28 Thi t k m ch khuy ch i CD b ng MOSFET kênh-n, trong ó Rin = 120kΩ, Ai = 100, RL =500Ω, VDD = 20V, và ch n transistor có VGSoff = - 5V và IDSS = 15mA. S d ng m ch hình P4.9, v iIDQ = 0,6IDSS và VDSQ = VDD/2.4.29 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) s d ng JFET kênh-n cho h s khuy ch

i dòng là 100 và i n tr vào là 500kΩ. T i là 2kΩ. Ch n m-Q theo các tham s là: VDSQ = 8V,IDQ = 5mA, VGSQ = - 1V, và gm = 4mS. Xác nh các n tr , h s khuy ch i n áp và v m chkhi VDD = 10V.4.30 L p l i bài t p 4.29 nh ng v i transistor khác v i giá tr c a các thông s là: VGSoff = - 3V, IDSS =10mA.4.31 Thi t k m ch nh hình 4.21, khi có VDD = 16V và RL = 8kΩ. S d ng transistor có VGSoff = -3,33V, IDSS = 10mA. Xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 12kΩ.4.32 D a vào bài t p 4.31, xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 200kΩ.

Appendix D: Manufacturers’ Data Sheets