Bai Tap Bo Sung Phan FET

7
BÀI TҰP 4.1 Hӑ ÿһc tuy Ӄn cho vùng làm viӋc cӫa transistor hiӋu ӭng trѭӡng kênh-n cө thӇ thӇ gҫn ÿúng bҵng phѭѫng trình: ( = mA 4 5 0 2 GS v , i D + = , khi duy trì các ÿiӅu kiӋn: R S = 500, R D = 2k, R in = 100k, I DQ = 5mA, và V DD = 20V. Hãy xác ÿӏnh các thông sӕ sau: a) V GSQ ; b) V D ; c) V DSQ ; d) R 1 + R 2 . Dӵa trên mҥch ӣ hình P4.1. 4.2 Trong mҥch ӣ hình 4.16a, khi có R 1 = 21k, R 2 = 450k , R S = 500, R D = 1,5k, R L = 4k, và V DD = 12V, xác ÿӏnh các thông sӕ sau khi V DSQ = 4V: a) I DQ ; b) V GSQ ; c) R in ; d) A v khi g m = 3,16mS; e) A i . 4.3 Trong mҥch ӣ hình 4.16a, R D = 2k, R L = 5k, R in = 100, R S = 300, và V DD = 15V. Xác ÿӏnh các trӏ sӕ cӫa R 1 R 2 cҫn thiӃt ÿӇ transistor làm viӋc ӣ mӭc 4mA khi V GSoff = - 4V và I DSS = 8mA. Tính hӋ sӕ khuy Ӄch ÿҥi ÿLӋn áp và dòng ÿiӋn cӫa mҥch khuy Ӄch ÿҥi. 4.4 a) ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi CS (hình P4.1) sӱ dөng JFET kênh-p ÿáp ӭng các thông sӕ yêu cҫu A v = - 10 và R in = 20k. Giҧ thiӃt là ÿiӇm-Q ÿѭӧc chӑn tҥi I DQ = - 1mA, V DSQ = -10V, V GSQ = 0,5V. b) Tính A i , R 1 , R 2 , R S , và R D . (Dӵa vào ÿһc tuyӃn ӣ hình P4.2. u ý rҵng có thӇ có chia tách R S và mҥch rӁ cho R S . 4.5 Lһp lҥi bài tұp 4.4 khi R L là 20kÿѭӧc mҳc vào cӵc máng qua mӝt tө ghép. Chú ý là có thӇ cҫn phҧi chӑn ÿLӇm-Q khác. 4.6 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi CS sӱ dөng MOSFET nhѭ mҥch ӣ hình P4.3. Cho R L = 1k , A v = - 1, R in = 15k. ĈiӇm- Q ÿѭӧc chӑn tҥi V GSQ = 3V, I DQ = 7mA, V DSQ = 10V, trong ÿó g m = 2300μS. Xác ÿӏnh các trӏ sӕ cho tҩt cҧ các cҩu kiӋn còn lҥi. 4.7 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi CS sӱ dөng JFET kênh-n cho kiӇumҥch nhѭӣ hình P4.4, vӟi A v = - 1, V DD = 12V, R L = 1k, R in = 15k, I DSS = 10mA, và V GSoff = - 4V. Sӱ dөng I DQ = I DSS / 2. 4.8 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi CS sӱ dөng JFET kênh-n khi có R L = 4k, A v = - 3, và R in = 50k. Giҧ sӱ là transistor sӱ dөng có V GSoff = - 4,2V và I DSS = 6mA. Sӱ dөng mҥch ӣ hình P4.4 vӟi V DD = 20V. Xác ÿӏnh A i . 4.9 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi CS bҵng JFET kênh-n A V = -2, A i = -20, V DD = 12V, và R L = 5k. Xác ÿӏnh t ҩt cҧ các trӏ sӕ cҩu kiӋn và mӭc công suҩt ÿӏnh mӭc cӫa transistor. (mҥch có thӇ cҫn phҧi thay ÿәi ÿӇ ÿáp ӭng thiӃt kӃ). Transistor ÿѭӧc chӑn V GSoff = - 5V và I DSS = 8mA. Sӱ dөng I DQ = 0,4I DSS V DSQ = V DD /2. Xem mҥch ӣ hình P4.4. 4.10 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi bҵng JFET kênh-p CS vӟi A V = - 4, A i =- 40, R L = 8k, và V DD = - 16V. Transistor ÿѭӧc chӑn có V GSoff = 3V và I DSS = - 7mA, sӱ dөng I DQ = 0,3I DSS V DSQ = V DD /2. Sӱ dөng mҥch ӣ hình P4.4. Xác ÿӏnh công suҩt ÿӏnh mӭc cӫa transistor. 4.11 ThiӃt kӃ mҥch khuy Ӄch ÿҥi bҵng JFET kênh-p CS vӟi tҧi là 5k, sӱ

description

ngoc06sk

Transcript of Bai Tap Bo Sung Phan FET

Page 1: Bai Tap Bo Sung Phan FET

BÀI T P4.1 H c tuy n cho vùng làm vi c c a transistor hi u ng tr ng kênh-n c th cóth g n úng b ng ph ng trình: ( ) mA450 2

GSv,iD += , khi duy trì các i u ki n: RS =500Ω, RD = 2kΩ, Rin = 100kΩ, IDQ= 5mA, và VDD = 20V. Hãy xác nh các thông ssau:a) VGSQ; b) VD; c) VDSQ; d) R1 + R2. D a trên m ch hình P4.1.4.2 Trong m ch hình 4.16a, khi có R1 = 21kΩ, R2 = 450kΩ, RS = 500Ω, RD =1,5kΩ, RL = 4kΩ, và VDD = 12V, xác nh các thông s sau khi VDSQ = 4V:a) IDQ; b) VGSQ; c) Rin; d) Av khi gm = 3,16mS; e) Ai.4.3 Trong m ch hình 4.16a, RD = 2kΩ, RL = 5kΩ, Rin = 100Ω, RS = 300Ω, và VDD = 15V. Xác nhcác tr s c a R1 và R2 c n thi t transistor làm vi c m c 4mA khi VGSoff = - 4V và IDSS = 8mA.Tính h s khuy ch i n áp và dòng i n c a m ch khuy ch i.

4.4 a) Thi t k m ch khuy ch i CS (hình P4.1) s d ng JFET kênh-p áp ng các thông s yêu c ulà Av = - 10 và Rin = 20kΩ. Gi thi t là i m-Q c ch n t i IDQ = - 1mA, VDSQ = -10V, VGSQ = 0,5V.

b) Tính Ai, R1, R2, RS, và RD. (D a vào c tuy n hình P4.2.u ý r ng có th có chia tách RS và m ch r cho RS.

4.5 L p l i bài t p 4.4 khi RL là 20kΩ c m c vào c cmáng qua m t t ghép. Chú ý là có th c n ph i ch n m-Qkhác.4.6 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng MOSFET nhm ch hình P4.3. Cho RL = 1kΩ, Av = - 1, Rin = 15kΩ. i m-Q c ch n t i VGSQ = 3V, IDQ = 7mA, VDSQ = 10V, trong ógm = 2300µS. Xác nh các tr s cho t t c các c u ki n cònl i.4.7 Thi t k m ch khuy ch i

CS s d ng JFET kênh-n cho ki u m ch nh hình P4.4, v i Av = - 1, VDD

= 12V, RL = 1kΩ, Rin = 15kΩ, IDSS = 10mA, và VGSoff = - 4V. S d ng IDQ= IDSS / 2.4.8 Thi t k m ch khuy ch i CS s d ng JFET kênh-n khi có RL = 4kΩ,Av = - 3, và Rin = 50kΩ. Gi s là transistor s d ng có VGSoff = - 4,2V vàIDSS = 6mA. S d ng m ch hình P4.4 v i VDD = 20V. Xác nh Ai.4.9 Thi t k m ch khuy ch i CS b ng JFET kênh-n có AV = -2, Ai = -20,VDD = 12V, và RL = 5kΩ. Xác nh t t c các tr s c u ki n và m c công su t nh m c c a transistor.

(m ch có th c n ph i thay i áp ng thi t k ). Transistor c ch ncó VGSoff = - 5V và IDSS = 8mA. S d ng IDQ = 0,4IDSS và VDSQ = VDD/2.Xem m ch hình P4.4.4.10 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i AV = - 4, Ai = -40, RL = 8kΩ, và VDD = - 16V. Transistor c ch n có VGSoff = 3V và IDSS= - 7mA, s d ng IDQ = 0,3IDSS và VDSQ = VDD/2. S d ng m ch hìnhP4.4. Xác nh công su t nh m c c a transistor.4.11 Thi t k m ch khuy ch i b ng JFET kênh-p CS v i t i là 5kΩ, s

Page 2: Bai Tap Bo Sung Phan FET

d ng m ch hình P4.4. Cho VDD = - 20V, AV = - 2, Ai = - 20, VGSoff = 6V và IDSS = - 5mA. Xác nhcông su t nh m c c a transistor.4.12 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor3N128 (ph l c D) cho t i là 10kΩ v i h s khuy ch i n áp Av = - 10. S d ng m ch hìnhP4.3. Ch n m-Q b ng cách s d ng h c tuy n th hi n các thông s k thu t khi Rin > 10kΩ.4.13 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n, chung c c ngu n (CS) s d ng transistor3N128 (ph l c D) cho t i là 2kΩ v i Av = - 4 và Rin > 100kΩ. Gi s r ng, m-Q ã c ch n làVGSQ = - 0,6V, VDSQ = 10V, IDQ = 10mA, VDD = 20V. Tham kh o m ch hình P4.3.4.14 Phân tích m ch khuy ch i b ng JFET kênh-n CS nh m ch hình P4.5, khi có t i là 20kΩ, RD

= 8kΩ, VDD = 24V, và Rin = 50kΩ. Ch n m-Q có VGSQ = - 1,5V, VDSQ = 12V, IDQ = 1mA, và gm =2,83mS. Hãy tính t t c các tr s c a c u ki n, Ai, và Av.

4.15 N u RS m ch hình P4.4, c r m ch b ng t , thì h s khuy ch i n áp là bao nhiêu ?Gi s r ng m-Q ã c ch n có gm = 1,5mS, RD = 3,2kΩ, và RL = 5kΩ. Xác nh h skhuy ch i dòng i n khi RS = 500Ω, R1 = 200kΩ, và R2 = 800kΩ.4.16 H s khuy ch i n áp Av c a m ch hình P4.4, là bao nhiêu n u tín hi u c cung c p vàom ch khuy ch i có n tr c a ngu n n áp là Ri = 10k ? Gi s r ng, RD = 10kΩ, và RL = 10kΩ,RS = 500Ω, gm = 2mS, R1 = 25kΩ, và R2 = 120kΩ.4.17 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng RS c r m ch b ng m t t n. VDD = 15V, RD = 2kΩ, RL =3kΩ, RS = 200Ω, R1 = 500kΩ, IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V. Hãy xác nh Av, Ai, Rin, và i m-Q chom ch khuy ch i.4.18 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 10kΩ, RS = 200Ω, R1 = 1MΩ, IDSS= 10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i.4.19 Cho m ch hình P4.6, gi s r ng VDD = 20V, RD = 2kΩ, RL = 6kΩ, RS = 100Ω, R1 = 1MΩ, IDSS =10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác nh m-Q, Av, Ai, Rin, và cho m ch khuy ch i.4.20 Cho m ch khuy ch i CS nh hình P4.1, s d ng JFET có IDSS = 2mA, và gm0 = 2000µS. N utr s c a RD = 10kΩ, RL = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av là bao nhiêu i v i các giá tr c aVGSQ sau ây ?a) – 1V; b) – 0,5V; c) 0V.4.21 M ch khuy ch i CS hình P4.6, v i transistor có VGSoff = - 4V, IDSS = 4mA, và rDS = 500Ω.N u RD = 2kΩ, RL = 4kΩ, và RS = 200Ω, thì h s khuy ch i n áp Av c a m ch là bao nhiêu n uVGSQ = - 1V ? Av s nh th nào khi rDS t n vô cùng ?4.22 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET kênh-n CS nh m ch hình P4.3, khi có RL = 4kΩ,Av = - 5, và Ai = - 10. Gi s r ng, m-Q ã ch n có VDSQ = 10V, VGSQ = 4V, IDQ = 2mA, và gm =4000µS.4.23 Cho m ch nh hình P4.7, có Ri = 50kΩ, R1 = 100kΩ, R2 = 800kΩ, RD = 4kΩ, RL = 6kΩ, RS =200Ω, và VDD = 20V, xác nh các thông s sau khi s d ng FET có VDSQ = 6V, gm = 2,5mS:a) IDQ, VGG, và VGSQb) Av, Rin, và Ai.4.24 Cho m ch nh hình P4.7, n u lo i b R2, transistor FET làm vi c m c dòng là 2mA. Tr sc a các c u ki n là Ri = 100kΩ, R1 = 400kΩ, RD = 3kΩ, RL = 5kΩ, và VDD = 12V. Xác nh các thôngs sau khi s d ng transistor có IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V:a) RSb) Av, Rin, và Ai.

Page 3: Bai Tap Bo Sung Phan FET

4.25 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) b ng JFET kênh-p nh hình P4.8, v i Rin =20kΩ, nh n c h s khuy ch i n áp Av g n b ng 1. Tính Ai, R1, R2, và RS. S d ng h ctuy n cho hình P4.2.

4.26 L p l i bài t p 4.25, khi có t i là 20kΩ c ghép t v i m ch khuy ch i.4.27 Thi t k m ch khuy ch i b ng MOSFET ki u máng chung (CD) khi có RL = 100Ω, Ai = 200,và Rin = 100kΩ. S d ng transistor có VGSoff = - 6V và IDSS = 20mA. Xác nh Av và giá tr c a t t ccác i n tr . M ch s d ng hình P4.9.4.28 Thi t k m ch khuy ch i CD b ng MOSFET kênh-n, trong ó Rin = 120kΩ, Ai = 100, RL =500Ω, VDD = 20V, và ch n transistor có VGSoff = - 5V và IDSS = 15mA. S d ng m ch hình P4.9, v iIDQ = 0,6IDSS và VDSQ = VDD/2.4.29 Thi t k m ch khuy ch i l p l i c c ngu n (SF) s d ng JFET kênh-n cho h s khuy ch

i dòng là 100 và i n tr vào là 500kΩ. T i là 2kΩ. Ch n m-Q theo các tham s là: VDSQ = 8V,IDQ = 5mA, VGSQ = - 1V, và gm = 4mS. Xác nh các n tr , h s khuy ch i n áp và v m chkhi VDD = 10V.4.30 L p l i bài t p 4.29 nh ng v i transistor khác v i giá tr c a các thông s là: VGSoff = - 3V, IDSS =10mA.4.31 Thi t k m ch nh hình 4.21, khi có VDD = 16V và RL = 8kΩ. S d ng transistor có VGSoff = -3,33V, IDSS = 10mA. Xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 12kΩ.4.32 D a vào bài t p 4.31, xác nh toàn b tr s c a c u ki n, Ai, và Av khi có Rin = 200kΩ.

Appendix D: Manufacturers’ Data Sheets

Page 4: Bai Tap Bo Sung Phan FET
Page 5: Bai Tap Bo Sung Phan FET
Page 6: Bai Tap Bo Sung Phan FET
Page 7: Bai Tap Bo Sung Phan FET