MIKROELEKTRONIKA 4.

19
MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök

description

MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σ d =dI/dV):. Lineáris eset : J= σ E = eµnE, - PowerPoint PPT Presentation

Transcript of MIKROELEKTRONIKA 4.

Page 1: MIKROELEKTRONIKA  4.

MIKROELEKTRONIKA 4.

1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök

Page 2: MIKROELEKTRONIKA  4.

Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σd=dI/dV):

I

V

Lineáris eset : J= σE = eµnE, az elektron termodinamikai egyensúlyban van a ráccsal, az elektromos tér elhanyagolhatóan hat a teljes energiára

E elektromos térben az l szabadúthosszon az elektron eEl energiára tesz szert, amelyet akusztikai fononnak ad át vagy kap ütközések következtében.

Viszonylagos energiavesztés: =E/kT.

Még nagyobb sebesség –bekapcsolódnak az optikai fononok is, a folyamat telítődik.

Az ütközés rugalmas, ha eEl / E 1,ekkor vv0, azaz a pótsebesség kisebb az egyensúlyinál.Ha összemérhető vagy nagyobb – nemlineáris effektus

100 1000 V/cm

I, A/cm2

1000

100

10

Ge, 300K

Page 3: MIKROELEKTRONIKA  4.

Mechanizmusok:

Ütközési (Avalanche) ionizáció, (E≈ 5 V/cm – az adalékok ionizációja)

Tunelezés :

Elektrostatikus ionizáció , a potenciális gát csökkenése:

Háromszögű gát áthaladásának valószínűsége: U

Ed

rm

105 V/cm

E

107 V/cmE

Ec

Ev

Page 4: MIKROELEKTRONIKA  4.

Alagútdióda működése:

Page 5: MIKROELEKTRONIKA  4.

OVONIC switch

Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) monostabil OVONIC kapcsolóban

Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) bistabil OVONIC kapcsolóban

Page 6: MIKROELEKTRONIKA  4.
Page 7: MIKROELEKTRONIKA  4.
Page 8: MIKROELEKTRONIKA  4.

Zener dióda (stabilitron)

C. Zener – az átütés tunelezési mechanizmusa.

5,6 V letörési feszültség, egy másik diódával kompenzált diódában 6,2 V. –akár referencia!

Áram, feszültség, hőmérséklet stabilizálás.

Page 9: MIKROELEKTRONIKA  4.

Metallization cell memory switch

M.Mitkova.

Page 10: MIKROELEKTRONIKA  4.

Félvezetők optikája

xII exp1

Optikai elnyelés: Bouguer törvénye

RII 101

2

2

1

1

n

nR

I

I0 IR

xI1

Két fontos feltétel:1.foton-elektron kölcsönhatásnál marad a teljes energia E1= E+h

2. foton-elektron kölcsönhatásnál marad az elektron kvaziimpulzusa p1=p+hk/2, k – hullámvektor

E=p2/2m*, p=kh/2π

1+( Tehát ha 0, k 0, dielektrikum, az anyag áttetsző,

1+(n4Eg=77

Page 11: MIKROELEKTRONIKA  4.

Lehető elektronátmenetek a félvezetőkben:

Ec

Ev

E

Direkt megengedett átmenetek

Page 12: MIKROELEKTRONIKA  4.
Page 13: MIKROELEKTRONIKA  4.

Nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés

n

Gtd

nd

0

.exp,exp1

t

nnt

nn stst

Fotovezetés spektruma.

Fotovezetés:

f =e(n0+n)n +(p0+p)p

f stac = e α n I / h

p-n átmenet, napelem

Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L)

L

Hozam:G=Ifoto/Ifoton

Page 14: MIKROELEKTRONIKA  4.
Page 15: MIKROELEKTRONIKA  4.

Fotorezisztorok kvantum hatásfoka

Page 16: MIKROELEKTRONIKA  4.

Lumineszcencia, eszközök

Hatásfok :=pr / pr+ pnr

nr r

E Foto-Röntgen-Elektro-Termo-Chemo-

Indikátorok,Képernyők,

Kimenet: LED, laser, MQWL.

Page 17: MIKROELEKTRONIKA  4.

LED és LD

Page 18: MIKROELEKTRONIKA  4.

LED

Page 19: MIKROELEKTRONIKA  4.

OLED

Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium (AlQ3)