LNA – Low Noise Amplifier (Amplificador de Baixo Ruído) · • A entrada de um amplificador...
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Requisitos
• Baixo ruído (para alta sensibilidade);• Ganho para amplificar o sinal recebido (10-20 dB) e diminuir
o ruído total do sistema;• Linearidade (diminuir as distorções no sinal);• Entrada casada em 50Ω:
• Máximo ganho de potência;• Antenas ou filtros necessitam de terminação em 50Ω,
para um perfeito funcionamento;• Em relação a conexão com uma antena a terminação se
torna mais crítica em função de não sabermos adistância desta em relação ao LNA.
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LNA e o casamento na entrada
• Requisito fundamental é o casamento em 50Ω;
• A entrada de um amplificador fonte comum é primariamente capacitiva e isso causa uma casamento muito pobre de potência;
• Assim, obtém-se um bom desempenho somente garantindo uma terminação correta (Portanto S11 <= -10dB Pelo menos 90% da potência incidente é transmitida)
• O que devemos fazer para obtermos ao mesmo tempo uma boa NF etambém um bom casamento de potência?
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CS LNA com terminação resistiva
• Como a entrada do amplificador CS MOS é primariamente capacitiva então podemos colocar na entrada um resistor paracasa-lá (em baixas frequências)
• Se ignorarmos todas as fontes de ruído do transistor exceto a do ruído de corrente de dreno então em baíxa frequência teremos:
sm
ss
mnds
ss
ss
Rg
RRRKTR
giRR
RKTRRR
RKTRF
αγ42
4
/44
2
2222
+=
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
=
5
CS LNA com terminação resistiva
• Portanto, quando (gm Rs >> 4γ) Fmin > 2 (NF > 3dB);• Terminação resistiva realmente apresenta um ótimo casamento
de potência, mas degrada sensivelmente a NF do circuito;
0
:42d
m
sm ggonde
RgF ≅+= α
αγ
• O resistor da terminação soma seu próprio ruído ao sistema;• Diminui o ganho em 6dB (comparado ao CS sem terminação);• Consequentemente o ruído referido a entrada do dispositivo
aumenta pelo mesmo fator;
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Amplificador Gate Comum
• A impedância de entrada do amplificador CG é:
( ) [ ]
minT
gs
mmgs
gsmin
gsmsgsgsgsmt
sgs
gR
CggC
jCgZ
jCgvjCvvgi
vv
1 : temosentão, Se
1
≈<<⇒<<⇒<<
+=
+−=−−=
−=
ωωωω
ω
ωω
• Assim, podemos utilizar o amplificador CG para obter ganho e casamento de potência!
• Qual a NF do amplificador CG?
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Ruído no Amplificador CG
• Se desprezarmos a resistência do poly de gate, o ruído de gate,e o ro, então a corrente de ruído na saída possui dois termos, umdevido a fonte e outro devido a corrente de ruído de dreno
Rsnondnono iii ,, +=• A corrente de ruído de saída devido a resistência da fonte é
simplesmente:
nssm
m
ins
nsRsno e
Rgg
RRei
+=
+=
1,
8
Contribuição do ruído de dreno no LNA
• Repare que se gm=1/Rs (Máx. Trans. Potência), então somentemetade da corrente de ruído dreno irá fluir para a saída
[ ]
smndo
CjR
gsssm
gssnd
gsssm
ndsmndo
gsssm
sndgssgsgsgsmndgs
gsmndo
Rgii
CjRRgCjR
iCjRRg
iRgii
CjRRgRivRvjCvgiv
vgii
gss
+=⎯⎯⎯ →⎯
++
+=
++−=
++−=⇒++−=
+=
<<
11
11
1
1
1ω
ωω
ω
ωω
9
NF no LNA CG
• A entrada será casada se Rs=1/gm. Então nos teremos:
20
22
22
1
11
11
1mS
d
Smns
Smnd
gRg
Rge
Rgi
F γ+=
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
+=
•Agora podemos calcular o fator de ruído:
⎪⎩
⎪⎨⎧
=≥
==+=+=curto Canal -dB8.43
longo Canal - dB2.235
11 20
αγγ
mS
d
gRgF
10
Comparações entre CG e CS
• Assumiremos que em todos os casos Rs=1/gm, então teremos:
dBNF
F
cs
cs
8,4
1
2| =
+=
=γ
αγ
• Para o mesmo gm o amplificador CS com terminação resistiva, possui metade do ganho de tensão e uma NF 5,2 dB maior.
CS - Sem Terminação Resistiva
CS – Terminação Resistiva
CG
dBNF
F
cRT
RT
10
42
2| =
+=
=γ
αγ
dBNF
F
cRT
CG
8,4
1
2| =
+=
=γ
αγ
11
• OK, vamos recordar o CS primeiramente.• Lembre-se que na topologia CS a impedância de entrada é
basicamente capacitiva e a parte real da impedância de entrada é quase zero (desprezando a R do poly de gate)
• Casamento utilizando resistor não é uma boa idéia;• Uma rede de casamento sem ou com baixíssimo ruído
pode criar uma resistência pura apartir de uma reatância;• Existe uma maneira de criar uma impedância real de
entrada na topologia CS sem adição de um resistor ruidoso?
CS LNA degeneração indutiva da fonte
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CS LNA degeneração indutiva da fonte
• Calculando a impedância de entrada:
• A impedância de entrada como um RLC série com
a parte real igual a LωT.• Como é um circuito ressonante, podemos utilizar
qualquer das tecnicas estudadas para casar aimpedância de entrada com a da fonte
Tgsgs
m
gsin
gs
tmt
gs
tt
LjLjC
LCgjL
jCZ
jLjC
igijC
iv
ωωω
ωω
ωωω
++=++=
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++=
11
Real Impedância
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CS LNA degeneração indutiva da fonte (2)
• Na maioria dos casos a parte imaginária da impedância de entrada é bastante capacitiva nafrequência de operação.
• Para alcançar a ressonância nos necessitamosacrescentar um indutor em série com o gate (Lg)
• Na ressonância temos o efeito do Q na corrente Id
( )
s
G
T
Ss
Gmgsmd
sgs
gsS
LR
gsTSS
vR
vQgvgi
Qvv
CRQ
CLRQ
m
m
TSS
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛===
=
=⎯⎯⎯ →⎯+
= =
0
00
21
211
ωω
ωωωω
Note que Gm é independente de gm
14
CS LNA degeneração indutiva da fonte (3)
• Precisamos observar a linearidade com cuidado, poisVgs é Q vezes maior que o sinal de entrada
• Qual é o desempenho do circuito emrelação ao ruído?
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NF no CS LNA degeneração indutiva
• A corrente de ruído na saída (ino) devido a Rs e Rg é simplesmente calculada multiplicando as tesões dasfontes de ruído por Gm
• O cálculo do corrente de ruído de saída devido ao ruído de dreno e mais trabalhosa.
ω
16
Ruído na saída do CS com degeneração indutiva devido ao ruído de dreno
• Repare que não estamos incluindo Rg no modelo depequenos sinais. Por que?
( )[ ]( )[ ]
( )
21
1
1
1
1
d
S
Tgd
gsS
gmdo
gsS
goo
gsSgS
gs
g
stgs
gSgsgst
gsgsoSt
gsmdo
i
RLi
CRLgii
CRL
ii
jCLLjR
jCjL
vvv
jLRjCvv
jCvijLv
vgii
=+
=+
=
−=+++
−=−=
+−=
+=
+=
ω
ωω
ωω
ωω
ωω
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Ruído total na saída do CS com degeneração indutiva
• Se ignorarmos a correlação entre os ruídos de gate e de dreno,então teremos:
• A figura de ruído na ressonância é a mesma que a do CS com degeneração indutiva.
• A degeneração indutiva não aumenta a Fmim e casa a impedância de entrada !!!
( )2
022
2
0
2222
2
1
21
4
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++==
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=++=
ωω
αγ
ωω
TSm
S
g
nsm
no
T
Smngnsm
ndno
RgRR
vGiF
RGvvGii
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Ruído total na saída do CS com degeneração indutiva (2)
• Se considerarmos a correlação do ruído de gate e corrente de ruído de dreno, então podemos mostrar (depois de um monte de contas !!!!!) que:
• Como QL é uma função de Rs, a figura de ruído ótimaacontece para um valor particular de Q.
( )
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛===
+++=
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++=
ωω
ω
γδα
γδαχ
ωωχ
αγ
T
smsgsCgsL
LL
TSm
S
g
RgRCQQ
QQc
RgRR
F
11
155
21
1
222
2
0
19
Valor ótimo de QL com potência constante fixa
• Se tentarmos otimizar a figura de ruído enquanto a dissipação depotência se mantem constante, então:
• QL,opt será independente da frequência e será em torno de 4,5dB• Fmim é de fato não muito sensível a variações de QL e somente
varia 0,1dB para QL entre 3,5 e 5,5.Menores valores de Q resultam em maior largura de banda e indutores menores enquanto Q maiores resultam em largura de banda menor e indutores maiores.
absoluto F : 16,11
F fixa Potência : 4,21
mim
mim,
Tmim
Tpmim
F
F
ωω
αγ
ωω
αγ
+=
+=
20
• Se assumirmos que a carga é puramente resistiva, então o ganho de tensão é:
• E o ganho de potência será:
• Sendo ωT fixo no nosso projeto, podemos escolher o Rs ou RL para obtermos o ganho desejado.
• Mas calma !!! Rs e RL não devem estar sob nosso controle.• Por exemplo, o LNA possui entrada e saída casada em 50Ω.
Ganho de potência no LNA com degeneração indutiva
[ ]
S
L
o
TSLm
L
Sv
in
op
Lmi
ov
RRRRG
RRA
PPG
vvRGvvA
222 444
/
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛====
−==
ωω
21
• Agora vamos considerar o efeito de Cgd !!!• Vamos primeiramente calcular a impedância de entrada no
seguinte caso:
• Essa multiplicação da capacitância é conhecida como efeito Miller• Assim, em nosso LNA Cgd irá aparecer como um capacitor de
descarga na entrada. Qual será a consequencia disso?
Efeito de Cgd !!!
( )[ ]CAC
jCAvvi
in
ininin
)1( +=−−= ω
22
• Vamos usar o capacitor Miller para referenciar Cgd na entrada e calcular a impedância.
Se assumirmos que a impedância vista pelo gate é um Rc série, então temos:
Efeito de Cgd na impedância deentrada
( )
RRRQQ
R
QR
R
RQR
sQQ
s
ps
s
ps
pp
ps <⎯⎯ →⎯⎥⎥⎦
⎤
⎢⎢⎣
⎡
+
+=
+=
+=
>.11
1
1
2
2
2
2
23
• A Cgd e a carga na saída derrubam a parte real da impedância de entrada
• Para eliminar isso precisamos isolar a entradada saída
• Solução Amplificador Cascode• A carga no dreno de M1 passa a ser 1/gm2
portanto o ganho de M1 é baixo (≈ 1) e ocapacitor Miller possui apenas o valor de Cgd
• Mas e quanto ao ruído extra devido a essa nova configuração?
O amplificador cascode
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• Repare que o circuito cascode é um amplificador CG.
• Já calculamos o ruído na saída devido ao ruído de dreno em um amplificador CG
• Assim, o ruído do dispositivo cascode diminui,enquanto a impedância de saída de M1 aumenta.
• Com o aumento da frequência, a impedância de saída pode ser menor ainda devido as capacitâncias de dreno de M1
Ruído no amplificador cascode
2
1
22
2
111
2
om
ndo
Cjr
oom
ondo rg
iiCjrrg
Cjrii o
+=⎯⎯⎯ →⎯
+++
= <<ω
ωω
25
Exemplo - LNA Cascode1( ) m s
in s ggs gs
g LZ s L LsC C
= + + +
0d
m
gg
≡αsgs RC
Q0
1ϖ
=
soxeffMn RCL
W0
1 31
ω≈
( )⎥⎥⎦
⎤
⎢⎢⎣
⎡+++⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+=
γδα
γδα
ωω
αγ
521
5111
22
20 cQ
QF
T
27
LNA – Medidas
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Medido Típico Slow Fast
Per
da d
e R
etor
no (d
B)
Frequência (GHz)
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5-10
-5
0
5
10
15
Medido Típico Slow Fast
Gan
ho (d
B)
Frequência (GHz)
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
Medido Típico Slow Fast
Isol
ação
Rev
ersa
(dB
)
Frequência (GHz)1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Típico Slow Fast
Figu
ra d
e R
uído
(dB)
Frequência (GHz)
28
LNA – IP3 – Ponto de intercepção de terceira ordem
f1=2,605GHz
f2=2,595GHz
2.f1-f2=2,615GHz
-20 -15 -10 -5 0 5 10-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
Potê
ncia
de
Saíd
a (d
Bm)
Potência da Fonte (dBm)-40 -30 -20 -10 0 10
-160
-120
-80
-40
0
40
f1 2f1-f2
Pot
ênci
a de
Saí
da (d
Bm
)
Potência de Entrada (dBm)
29
Figura de ruído - Medidas
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
NF - G NF - Y
Figu
ra d
e R
uído
(dB)
Frequência (GHz)
30
Bibliografia Utilizada
• Lee, T. H. (2004), Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, 2nd Edition, Cambridge University Press.
• Razavi B. (1998), RF Microelectronics, Prentice Hall.
• Shaeffer, D. K. e Lee, T. H. (1999) The Design and Implementation of Low-Power CMOS Radio Receivers , Kluwer Academic Publishers.
• Nota: O autor utilizou como referência técnica as aulas do prof. Lee.