H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet.

h21

2 < 1

Rekombinasjon via tilstand i bandgapet

Spreading of a ’spike’ of electrons by diffusion

t1 < t2 < t3

Dn

(cm2/s)

Dp

(cm2/s)

μn

(cm2/Vs)

μp

(cm2/Vs)

Si 35 12.5 1350 480

Ge 100 50 3900 1900

GaAs 220 10 8500 400

Diffusjonskonstanter og mobiliteter ved 300 K i intrinsiske materialer (jfr ’Streetman’ Table 4-1)

0.0259 V

0.0256

0.0259

0.0260

0.0263

0.0250

Current entering and leaving a volume ΔxA

Kontinuitetslikningen!!

= p0 + δp(x)

δp(x)

RIE

CFC

Deponering av Al via sputtering

Deplesjonsone

+-

W

Figure 5.15 (a): Minority carrier distributions on the two sides of the transition (depletion) region for a forward-biased junction. The figure provides also

definitions of distances xn and xp measured from the transition (depletion) region edges.

I = Ip + In = konstant

W

Avalanche (Lavin) gjennombrudd

Figure 5.21: Electron-hole pairs generated by impact ionization; (b) a single ionizing collision by an incoming electron and (c) primary, secondary and tertiary collisions.

(b) (c)

Ge Si GaAs GaAsP

(Diffusjon)

Rekombinasjon & generasjon

Jeppson

Vakuumnivå

Schottky kontakt på n-type halvledere

Schottky kontakt på p-type halvledere

Vakuumnivå

Ohmske kontakter

n-type

m < s

p-type

m > s

Figure 5.43

Figure 5.42

H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet.

Documents

Transcript of H 2 1 2 < 1. Rekombinasjon via tilstand i bandgapet.