Post on 19-Oct-2020
Φάσμα αυθόρμητης εκπομπής
Το φάσμα εκπομπής προσδιορίζεται από την ανηγμένη πυκνότητα
καταστάσεων στις ΖΑ και ΖΣ και την θερμική κατανομή φορέων
(κατανομή Fermi-Dirac) κοντά στο ενεργειακό χάσμα. Π.χ. σε 3D:
( )( )
−−−
g
ggg
PLE
EkTEEI
for 0
for /)(exp
“θερμική”
κατανομή
ηλεκτρονίων
“θερμική”
κατανομή
οπών
Τ=0Κ Τ≠0Κ
εύρος φάσματος
εκπομπής ~ kΤ
Παραδείγματα φασμάτων LED
The GaN LED “revolution”
Από την τεχνολογία GaN
έχουν πρόσφατα προκύψει
αποδοτικά μπλε και πράσινα LEDs
με πληθώρα νέων εφαρμογών
που έχουν κωδικοποιηθεί σαν
εφαρμογές Solid State Lighting.
White LED lightbulb technology
Si, ~1100 nm
GaAs, ~880 nm
wafers
ZnTe, ~540nm ZnSe, ~460nmGaN, ~360nm