Download - MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Transcript

Page 1: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOS Varactor

jOSOMOS CC

VWd

C

11)(1+=+=

εε

Page 2: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Elettrostatica MOS

Accumulo

Svuotamento

Inversione

Page 3: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOSFET

Page 4: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Diodo p-MOS

Non polarizzato

Inversione

Svuotamento

Accumulo

VT>V>0

V>VT

V=0

V<0

Page 5: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOSFET (n channel=pMOS)

Page 6: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOSFET

Page 7: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOSFET

Page 8: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

MOSFET

Page 9: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Tensione di soglia

Page 10: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Tipi di MOSFET

Page 11: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

CMOSNormally onNormally off

Page 12: MOS Varactor d W V 1 = + = MOS O S CO ε Cj Varactor MOS O S CO Cj d W V C 1 ( ) 1 1 = + = + ε ε Elettrostatica MOS Accumulo Svuotamento Inversione MOSFET Diodo p-MOS Non polarizzato

Invertitore

Top Related

Small Signal Model MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs)

Small Signal Model MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs)

Combinational MOS Logic Circuit A. Marzuki. Topics Static Characteristic Dynamic Characteristic Stick Diagram.

Combinational MOS Logic Circuit A. Marzuki. Topics Static Characteristic Dynamic Characteristic Stick Diagram.

Mixed-Signal-Electronics - Technische Universität · PDF fileChapter 3 . Stephan Henzler Mixed -Signal Electronics 2011/12 Resistor Realizations in MOS Technologies: Poly-Resistor

Mixed-Signal-Electronics - Technische Universität · PDF fileChapter 3 . Stephan Henzler Mixed -Signal Electronics 2011/12 Resistor Realizations in MOS Technologies: Poly-Resistor

Ακολουθιακά Κυκλώματα Mos

Ακολουθιακά Κυκλώματα Mos

Motivation - MOS-AK Research · PDF fileDevelop a MOSFET model for analog design ... α-Power Circuit ... An analytical MOS transistor model valid in all regions of operation and dedicated

Motivation - MOS-AK Research · PDF fileDevelop a MOSFET model for analog design ... α-Power Circuit ... An analytical MOS transistor model valid in all regions of operation and dedicated

EMIR, the NIR MOS and imager for GTC · F. Garzón, EMIR. ING-MOS, Marzo 2015 8 Use EMIR to obtain near IR spectroscopy of some thousands sources vast majority located in the inner

EMIR, the NIR MOS and imager for GTC · F. Garzón, EMIR. ING-MOS, Marzo 2015 8 Use EMIR to obtain near IR spectroscopy of some thousands sources vast majority located in the inner

The E-Model, R Factor and MOS Overview - Sage Inst · The E-Model, R Factor and MOS Σ Calc Ro Calc Id Calc Is A-factor Ro and Impairment calculations Loudness ratings Sensitivities

The E-Model, R Factor and MOS Overview - Sage Inst · The E-Model, R Factor and MOS Σ Calc Ro Calc Id Calc Is A-factor Ro and Impairment calculations Loudness ratings Sensitivities

Mos 10-2 strain

Mos 10-2 strain