Transport thermique
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Transport thermique
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Contexte• Miniaturisation de transistors → Problème auto-échauffement local + due à l’émission de phonon par électrons chauds + Réduction de mobilité d ’électrons (Si : μe~ T-3/2) et performance non-optimale de dispositifs
• Méthode pour résoudre problème thermique : + Echelle macroscopique : Loi de Fourrier + Echelle micro à nano : BTE + Echelle nano (qqs nm) : Fonction de Green→ BTE est un candidat approprié pour décrire le transport de phonon
- MC simulation pour le transport d’électrons à l’équilibre et hors-équilibre et pour évaluer la génération de phonon par interaction électron-phonon.*- BTE pour la transport de phonons
1
10
100
1000
104
105
106
107
1980 1990 2000 2010
Nb transistors(/1000)
Horloge (MHz)
Puissance (W)
CPU Intel (tendances)Source : Intel, Wikipedia, K. Olukotun
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Quantités physiques obtenues de E-MC
6 nm
20nm 100nm20nm
5x1019 cm-3 5x1019 cm-31015 cm-3
TSiO2 = 1.2nm
3
6 nm
20nm 100nm20nm
5x1019 cm-3 5x1019 cm-31015 cm-3TSiO2 = 1.2nm
Vg = 0.7V
Génération donnée par E-MC
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Vds = 1.0V Puissance - Vds
Longueur de relaxation
Plus la polarisation est forte, plus le scattering est important et plus le transport est hors-équilibre.
Distribution spatiale de phonons émis6 nm
20nm 100nm20nm
5x1019 cm-3 5x1019 cm-31015 cm-3
TSiO2 = 1.2nm
Vg = 0.7V, Vds = 1.2V
• Emission de phonon principalement dans le drain.
• Elargissement de plage d’énergie émise à fort champ (au début du drain).
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Equation de Boltzmann (BTE)
• Approximation semi-classique -> Fonction de distribution f(r,k,t)• Evolution de f(r,k,t) -> BTE
• Résolution directe vs. Résolution stochastique + Pour électrons : 3D dans l’espace réciproque (même dans l’espace réelle 2D) -> coût de ressource informatique -> résolution stochastique + Pour phonons : pas de force F -> 2D en espace réelle (film) -> résolution directe
, ,r kcoll
f fv f F f G r k tt t
kFt
1
kv E k
Ou E(k) est la relation de dispersion
Variation de f dûe aux collisions
Taux net de génération (E-P interaction)
Approx. de temps de relaxation (RTA)
equilibrium
coll
f fft
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Approximation RTA
1
( ) exp 1scattT
B scatt
qN q
k T
BTE par mode en utilisant Relaxation Time Approximation
Equation de Fourier . ( ) ( ) 0r rr scatt thT P
( , ) ( , )( ). ( , ) ( )
( )Tscatt
r e ph
N r q N r qv q N r q G q
q
, ,
( )Tscatt
coll
N r q N r qNt q
Eq. de Fourier -> Tscatt utilisé dans RTA pour BTE
BTE « directe » : (rx,ry,rz,qx,qy,qz) ex : matrice 306 X306 = 7290000002
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Harmoniques sphériques d’ordre 1
2.
1 ( , ) ( , ) ( , )3 r
scatt
v q qN r q N r q G r q qs T e ph
Développement harmoniques sphériques : ordre 1
Eq. de Fourier -> Tscatt -> BTE « directe ou harmonique »
=> distribution de phonons
( , ) ( , ) ( , )s p p g r sN r q N r q V q N r q
BTE « harmoniques » : (rx,ry,q) ex : matrice 303 X303 = 270002
,N r q
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Et la température ?
• Mais hors équilibre ????? Ici, nombre de phonons par mode -> Tmode , nb. total de phonons -> Teff
• Autre inversion N(q) avec la distribution de Bose-Einstein
• En physique, elle se définit de plusieurs manières : comme fonction croissante du degré d’agitation thermique des particules (en théorie des gaz) (T=2/3.Ec/kb), par l’équilibre des transferts thermiques entre plusieurs systèmes ou à partir de l’entropie (en thermodynamique et en physique statistique) (T=dU/dS|V,n)
(cf wikipedia)
1
( ) exp 1scattT
B scatt
qN q
k T
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Nécessiter :• ζ(q) : temps de relaxation• : relation de dispersion v q
• Relation de dispersion (Pop JAP 2004) • Temps de relaxation (Holland PRB 1963)
• Libre parcours moyen
20 sw w v q cq
q v q q
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( , ) ( , )( ). ( , ) ( )
( )Tscatt
r e ph
N r q N r qv q N r q G q
q
1, 1, 1, 1,
1 1
, 1 , 1 , 1 , 1
1 1
2 ( )
2 ( )
i j i j i j i j
i i
i j i j i j i j
j j
n n n nn
x x x x in n n n
ny y y y j
01, 1, , 1 , 1 ,
,1
3 2 ( ) 2 ( )g i j i j i j i j i j
i j
V n n n n nn
x i y j
• Discrétisation :• Décompositions spatiales:+ Nœud selon x : 1, 2, 3, … Nx+ Nœud selon y : 1, 2, 3, … Ny
Le vecteur n dimensions Nx*Ny :nt = n1,1 n1,2… n1,Ny n2,1 … n2,Ny … ni,j …nNx,1 …nNx,Ny
• Décomposition de dérivée :
On peut maintenant écrire l’équation (2) sous la forme discrétisée :
avec i = 2 :(Nx-1) et j = 2 :(Ny-1).
Mise sous forme matricielle
+ Condition aux limites 11
Tg
Td
adiabatique
Résolution numérique
1 12
1 2
1 2
1 2
1
0 0 00 0
0 00 0 00 0
0
0 0 Nx Nx
Q RR Q R
H R Q R
R Q R
R Q
H.N=C => N=H-1.C
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BTE directe : Température vs longueur
• Nous : résultats en cohérence avec les résultats de BTE transitoire.• Le transport est moins balistique dans notre résolution de BTE
(numérique) que dans le modèle de Lacroix (méthode Monte Carlo)
Nous LacroixNarumanchiPRB 2005
Résoudre BTE ss approx. par méthode MC
Trans. ASME 2004
Résoudre BTE transitoire pour énergie
Résoudre BTE directe en utilisant Tscatt donnée par
Eq. de Fourrier
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BTE directe : Régime DiffusifL = 4 μm
Spectres en q quasi symétriques, quasi équilibres
Spectres en q
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BTE directe : Régime balistique
L = 2 nmSpectres en q
• Spectres en q dissymétriques, hors équilibres
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BTE harmonique
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Profil de température le long du barreau
L = 2 μm L = 2 nm
• Régime diffusif - > Ok• Régime balistique -> BTE harmonique n’est pas validé.
Longueur du drainVds = 1.5 V, Vg = 0.7 V
S20-C20-D100 S20-C20-D50 S20-C20-D20
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Effet de la longueur de drain
S20-C20-D100 S20-C20-D50 S20-C20-D20
Vds = 1.0 V, Vg = 0.7 VBTE directe
BTE harmonique
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Effet de la longueur de drain
S20-C20-D100 S20-C20-D50S20-C20-D20
Vds = 1.5 V, Vg = 0.7 VBTE directe
BTE harmo
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Comparaison T – S20-C20-D100
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Vds BTE Teff Tfour TLA TTA TLO TTO
Vds1.0 Vg0.7
Directe 342.2 340,6 344.1 341.0 341.2 334.4Harmo 342,4 340,6 344,3 341,3 342 346,2
Vds1.5 Vg0.7
Directe 371.0 363 379.8 366.1 364.2 369.3Harmo 369,4 363 376,4 365,1 363 387
Dans le cas d’un dispositif avec le drain assez longue (voir bien la longueur de relaxation), températures obtenues par BTE directe et BTE harmonique sont près.
Comparaison T – S20-C20-D20
Vds BTE Teff Tfour TLA TTA TLO TTO
Vds1.0 Vg0.7
Directe 309,5 305,2 313,8 307,1 307.8 308,9Harmo 312,5 305,2 312,1 309,5 311,2 321,3
Vds1.5 Vg0.7
Directe 331,1 313,7 344,9 324,1 322 342.5Harmo 337 313,7 336 329 330 368
BTE harmonique : sur- estime les températures des 4 types de phonons et en conséquence Teff par rapport à BTE directe.
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Transport hors-équilibreVds=1.5, Vg = 0.7
• Les 2 BTE montre l’effet hors- équilibre le long du dispositif.• Au point « chaud », les 4 modes sont loin d’état équilibre. Ils tendent au régime équilibre
au fur et à mesure le long du dispositif.• Le fait que LA est plus favorisé par BTE directe que par BTE harmonique, le transport de LA
est plus hors- équilibre en résolvant BTE directe .
BTE directe BTE harmonique
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BTE directe : transport hors-équilibre Vds
S20-C20-D20Vds=1.5, Vg = 0.7 Vds=1.0, Vg = 0.7
Plus champ est fort, plus transport est hors équilibre. 23
BTE directe : Flux thermiqueS20-C20-D50
Vds=1.5, Vg = 0.7( ) ( , ) ( ) ( )x gxq
J r n r q q V q
• Importance de LA • Rapport de flux + Le long du dispositif :
+ Au point « chaud » :
2LA TA
LO TO
JJ
3LA TA
LO TO
JJ
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A faire …Couplage électron-phonon dans Monaco
eMC
Scattering E-PTaux net de
génération de phonon
Entrées pour BTEP
Scattering p-pDistribution de phonons
Scattering e-p pour
eMC
Convergence de courant
… ?
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