MOSFET DE POTENCIADispositivo controlador por voltaje Necesita una pequea corriente en la entrada Velocidad de conmutacin muy alta Tiempo de conmutacin de nseg Aplicaciones en convertidores de baja y alta

frecuencia Sin problemas de segunda avalancha Problemas de descarga electroesttica Resistencia de entrada muy alta (109 hasta 1011 )

MOSFET decrementalesa)

MOSFET canal n: Dos regiones de silicio n+, la compuerta aislada por una capa de xido, voltaje de compuerta a fuente VGS (puede ser negativo o positivo). Si VGS se hace lo suficientemente negativo , el canal se decrementa por completo y presenta un valor alto de RDS, por lo tanto teniendo una IDS=0. A este valor de VGS se le llama voltaje de estrechamiento VP. Si VGS se hace positivo, el canal se incrementa y aumenta el IDS debido a la reduccin de RDSMOSFET decrementales tipo n, su diferencia est en el cambio de polaridades de VGS, VDS e IDS

b) MOSFET canal p: Tiene el mismo anlisis que los

MOSFET incrementalesa)

MOSFET canal n: No tiene canal fsico , si VGS es positivo, un voltaje inducido atrae los electrones del substrato p y los acumula en la superficie bajo la capa de xido. Si VGS es mayor o igual a un voltaje umbral se forma un canal virtual n y la corriente circula de drenaje a fuente.

b) MOSFET canal p: Se invierten las polaridades de VGS,

VDS e IDS

Ya que un MOSFET decremental permanece activo con un VG = 0, mientras que un MOSFET incremental permanece apagado bajo la misma condicin; stos ltimos se usan como dispositivos de conmutacin en la electrnica de potencia

Caractersticas en estado permanente La relacin de la

corriente de drenaje y el voltaje de compuerta, llamada transconductancia, define las caractersticas de transferencia. Para MOSFET tipo decremental y tipo incremental la transconductancia esta definida por:

Caracterstica de salida MOSFET incremental tipo nRegin de corte VG VT 2. Regin de saturacin VDS = VGS - VT 3. Regin lineal VDS VGS - VT El MOSFET se utiliza en su regin lineal para efectos de conmutacin debido a la gran corriente de drenaje y el bajo voltaje de drenaje1.

Caractersticas de conmutacin

Formas de onda y tiempo de conmutacin

Tiempo de subida tr :

Tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel del umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP Tiempo de cada tf : Tiempo para que la capacitancia de entrada se descargue de la zona de estrechamiento hasta el voltaje umbral

Tiempo de encendido td(enc) : Tiempo necesario

para cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del umbral

Tiempo de apagado td(apag) : Tiempo necesario

para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje de saturacin hasta la regin de estrechamiento