Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix

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Mesures d’étalement Mesures d’étalement

par SiProt par SiProt

avec TimePix avec TimePix

CEA SaclayCEA SaclayRéunion RESISTRéunion RESIST 3 novembre 20083 novembre 2008

David ATTIÉDavid ATTIÉ

[email protected] Réunion RESIST, Saclay – 3 novembre 2008 2

Introduction

• Puce + Siprot + Micromegas/Ingrid

Puce TimePix

SiProt

Pilier

aSi:H,Si3N4


TimePix + InGrid

55 m

55 m

Pixel

11 22 33

44

55

55

μ m

55 μ m

20 μm de a-Si:H


Micro TPC à base de puce TimePix

Cage de champ

Capot

Micromegas

puce de lecture Medipix2/TimePix

Fenêtre pour sources X

Fenêtre pour source

Schéma :


Micro-TPC TimePix/Micromegas + 20 μm

• Puce TimePix+ 20 μm SiProt+ Micromegas

• 90Sr source

• Ar He

• Mode Temps

• z ~ 40 mm

• Vmesh = -340 V

• tshutter = 180 μs


TimePix + 20 μm SiProt + Micromegas

Ar/Iso (95:5)



Ar/Iso (95:5)1



1

320 ns



1


TimePix + SiProt 15 μm + InGrid

Ar/Iso (95:5)2

150 ns


TimePix + SiProt 15 μm + InGrid

Ar/Iso (95:5)2



250 ns


Silicon Nitride Si3N4

• Utilisé habituellement comme couche ahti-scratch sur les CMOS

• Si-RichN, l’excès de Si donne une couche résistive

• Déposé PECVD à T < 300 °C

7 μm Si3N4


TimePix + 7 μm Si3N4 + InGrid

Mesures d’étalement par SiProt avec TimePix

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