Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se...

70
Curs 10 2014/2015

Transcript of Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se...

Page 1: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Curs 102014/2015

Page 2: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Stabilitatea amplificatoarelor de microunde

Page 3: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Obtinem conditiile ce trebuie indeplinite de ΓL pentru a obtine stabilitatea

1in1

1 22

211211

L

L

S

SSS

1out 11 11

211222

S

S

S

SSS

Obtinem conditiile ce trebuie indeplinite de ΓS pentru a obtine stabilitatea

Page 4: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 5: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Proiectare pentru castig maxim

Page 6: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Castig maxim de putere se obtine cand

Pentru retele de adaptare fara pierderi

Pentru tranzistor bilateral (S12 ≠ 0) Γin si Γout se influenteaza reciproc deci adaptarea trebuie safie simultana

*Sin *

Lout

2

22

2

222

21max

11

11

LinS

LST

S

SG

2

22

22

212max1

1

1

1

L

L

S

TS

SG

Page 7: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Adaptarea simultana se poate realiza numaipentru amplificatoarele neconditionatstabile la frecventa de lucru, si solutia cu |Γ|<1 se obtine cu semnul –

1

2

1211

2

4

C

CBBS

2

2

2222

2

4

C

CBBL

*22111

22

22

2

111 1

SSC

SSB

*11222

22

11

2

222 1

SSC

SSB

Page 8: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se alege una din cele doua solutii posibile Similar pentru adaptarea la iesire

8.163

9.133

1.150

1.1502

477.3

477.3Im Sy

74

10618074sp

7.176686.0L 1Re Ly L 2cos

3.133

3.13327.176

25180155

3.1581807.21

885.1

1

2Im

2

L

LLy

1.62

9.1171801.62sp

0.25

3.158

3.133

3.1332

885.1

885.1Im Sy

1.62

9.117sp

Page 9: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 10: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 11: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Proiectare pentru castig impus

Page 12: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Deseori este necesara o alta abordare decat"forta bruta" si se prefera obtinerea unuicastig mai mic decat cel maxim posibilpentru: conditii de zgomot avantajoase (L3 + C9)

conditii de stabilitate mai bune

obtinerea unui VSWR mai mic

controlul performantelor la mai multe frecvente

banda de functionare a amplificatorului

Page 13: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se realizeaza cu asumarea unilaterala a amplificatorului

Castig maxim

2

22

2

212

11

max1

1

1

1

SS

SGTU

2

22

2

2

11

22

211

1

1

1

L

L

S

STU

SSSG

012 S

Permite tratarea separataa intrarii si iesirii

11Sin

*11SS

*22SL

Page 14: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Permite estimarea erorii induse de ipotezatranzistorului unilateral

Se calculeaza U si abaterea maxima si minima a lui GTU fata de GT

aceasta abatere trebuie prevazuta in proiectare ca rezerva pentru castigul maxim

221

1

1

1

UG

G

U TU

T

2

22

2

11

22112112

11 SS

SSSSU

UdBGdBGU TUT 1log201log20

Page 15: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Daca ipoteza tranzistorului unilateral estejustificata:

2

22

2

2

11

22

211

1

1

1

L

L

S

STU

SSSG

2

11

2

1

1

S

SS

SG

2

22

2

1

1

L

LL

SG

2

210 SG

Page 16: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Castig maxim pentru adaptare complex conjugata (putere) la intrare

Pentru oricare alta retea de adaptare

2

11

2

1

1

S

SS

SG

2

11

max1

1

SGS

*

11SS

2

11

max2

11

2

1

1

1

1

SG

SG S

S

SS

Page 17: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

5.1SG

0.1SG

5.0SG

Cercuri

Page 18: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

2

11

2

1

1log10

S

SS

SdBG

*11

max SSSS

GG

Page 19: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Ecuatia unui cerc in planul complex in care reprezint ΓS Interpretare: Orice punct ΓS care reprezentat in planul

complex se gaseste pe cercul desenat pentru gcerc = Gcerc/GSmax va conduce la obtinerea castigului GS = Gcerc

Orice punct in exteriorul acestui cerc va genera un castig GS < Gcerc

Orice punct in interiorul acestui cerc va genera un castig GS > Gcerc

2

11

2

11

2

11

*11

11

11

11 Sg

Sg

Sg

Sg

S

S

S

SS

SSS RC

2

11

*11

11 Sg

SgC

S

SS

2

11

2

11

11

11

Sg

SgR

S

SS

Page 20: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Cercurile se reprezinta pentru valorile cerute in dB Este utila calcularea GSmax si GLmax anterior

Page 21: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Proiectare pentru zgomot redus

Page 22: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Factorul de zgomot F caracterizeaza degradarearaportului semnal/zgomot intre intrarea si iesireaunei componente, cand la intrare se aplica o putere de zgomot de referinta (T0 = 290K)

KToo

ii

NS

NSF

2900

Page 23: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Factorul de zgomot F nu caracterizeaza direct degradarea raportului semnal/zgomot intre intrarea siiesirea unei componente, cand la intrare se aplica o putere de zgomot diferita de cea de referinta

KToo

ii

NS

NSF

2900

Page 24: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

In general, puterea de zgomot la iesire se obtinecu doua componente: o putere datorata zgomotului de intrare amplificat cu

castigul G (depinde de puterea de zgomot de la intrare)

o putere de zgomot generata intern de dispozitiv(care nu depinde de puterea de zgomot de la intrare)

Page 25: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Estimarea puterii de zgomot adaugate se poate face plecand de la definitia factoruluide zgomot:

010 ,29022

11

NNKTNS

NSF

111 NSP 222 NSP

GNFS

SNFN 0

1

202

GNFGNN 002 1

Page 26: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se identifica cei doi termeni: zgomotul de intrare amplificat

zgomotul adaugat intern Pentru o situatie in care la

intrare nu am zgomotul de referinta (N1 ≠ N0)

111 NSP 222 NSP

GNFGNN 002 1

GNFGNN 012 1

Page 27: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

21 GGGcas

222 NSP 111 NSP 333 NSP

111 NSP 333 NSP

101112 1 GNFGNN

202223 1 GNFGNN cascascas GNFGNN 013 1

2022101113 11 GNFGGNFGNN

20221012113 11 GNFGGNFGGNN

Page 28: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

21 GGGcas

222 NSP 111 NSP 333 NSP

111 NSP 333 NSP

cascascas GNFGNN 013 1

20221012113 11 GNFGGNFGGNN

11

2

1

1 FG

FFcas

2102022101 111 GGNFGNFGGNF cas

Page 29: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Ecuatia Friis (!coordonate liniare)

11

2

1

1 FG

FFcas21 GGGcas

321

4

21

3

1

21

111

GGG

F

GG

F

G

FFFcas

Page 30: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Formula lui Friis arata ca

zgomotul unor circuite in cascada este in mare parte determinat de circuitul de la intrare

zgomotul introdus de celelalte circuite este redus

▪ -1

▪ impartire la G (de obicei supraunitar)

321

4

21

3

1

21

111

GGG

F

GG

F

G

FFFcas

Page 31: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Formula lui Friis, efecte: in amplificatoare multietaj: e esential ca primul etaj de amplificare sa fie nezgomotos,

chiar cu sacrificarea in parte a castigului urmatoarele etaje pot fi optimizate pentru castig

pentru un singur amplificator: la intrare e important sa introducem elemente

nezgomotoase (reactive, linii fara pierderi) circuitul de adaptare la iesire are o influenta mai mica

(zgomotul este generat intr-un punct in care semnalul estedeja amplificat de tranzistor)

321

4

21

3

1

21

111

GGG

F

GG

F

G

FFFcas

kTBRV efn 4)( kTBPn

Page 32: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

ATF-34143 at Vds=3V Id=20mA. @5GHz S11 = 0.64139°

S12 = 0.119-21°

S21 = 3.165 16°

S22 = 0.22 146°

Fmin = 0.54 (tipic [dB] !)

Γopt = 0.45 174°

rn = 0.03

Page 33: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 34: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

101SSR

Page 35: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

10010PSR

Page 36: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

101SLR

Page 37: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

10010PLR

Page 38: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Caracterizat de 3 parametri (2reali + 1 complex):

Γopt reprezinta coeficientul optim de reflexie la intrare

optN

nZ

RrF ,,

0

min

2

min optS

S

N YYG

RFF

22

2

min

11

4

optS

optS

nrFF

S

SS

ZY

1

11

0 opt

opt

optZ

Y

1

11

0

minFFoptS

Page 39: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 40: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 41: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Cercuri

Page 42: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Γopt = 0.45 174°

Page 43: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se noteaza cu N (parametru de zgomot)

N constant pentru F constant

2min

2

2

141

opt

nS

optS

r

FFN

2** 1 SoptSoptS N

NN optoptoptSoptSSSS ***2*

11

2

*

**

*

N

N

N

opt

optopt

optSoptS

SS 2

2

1

N

opt

Page 44: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Locul geometric al punctelor caracterizate de factor de zgomot constant este un cerc

Interpretare: Orice punct ΓS care reprezentat in planulcomplex se gaseste pe cercul desenat pentru Fcerc vaconduce la obtinerea factorului de zgomot F = Fcerc

Orice punct in exteriorul acestui cerc va genera un factor de zgomot F > Fcerc

Orice punct in interiorul acestui cerc va genera un factor de zgomot F < Fcerc

1

1

1

2

N

NN

N

optopt

SFFS RC

1

NC

opt

F1

12

N

NN

Ropt

F

Page 45: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 46: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se observa ca zgomotul generat de tranzistordepinde numai de modul in care se realizeazaadaptarea la intrare

Se poate obtine un minim (Fmin care esteparametru de catalog pentru tranzistor)

Daca se urmareste realizarea unui amplificatorde zgomot redus (LNA) o metoda uzuala este: adaptarea la intrare a tranzistorului din considerente

de zgomot adaptarea la iesire utilizata pentru compensarea

castigului (daca sunt elemente cu pierderi adaptareala iesire poate adauga zgomot propriu, dar nu se influenteaza in nici un fel zgomotul generat de tranzistor)

Page 47: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

De obicei un tranzistor potrivit pentru implementarea unuiLNA la o anumita frecventa va avea cercurile de castig la intrare si cercurile de zgomot in aceeasi zona pentru ΓS

Page 48: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

ATF-34143 at Vds=3V Id=20mA. @5GHz S11 = 0.64139°

S12 = 0.119-21°

S21 = 3.165 16°

S22 = 0.22 146°

Fmin = 0.54 (tipic [dB] !)

Γopt = 0.45 174°

rn = 0.03

Page 49: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Amplificator de zgomot redus La intrare e necesar un compromis intre

zgomot (cerc de zgomot constant la intrare)

castig (cerc de castig constant la intrare)

stabilitate (cerc de stabilitate la intrare)

La iesire zgomotul nu intervine (nu existainfluenta). Compromis intre:

castig (cerc de castig constant la iesire)

stabilitate (cerc de stabilitate la iesire)

Page 50: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

In cazul particular prezent GLmax = 0.21 dB, amplificatorular putea functiona cu iesirea conectata direct la o sarcin de 50Ω

Absenta retelei de adaptare la iesire nu conduce la o pierdere importanta de castig, dar elimina posibilitatea ca prin reglaj sa se compenseze compromisul castig/zgomotintrodus la intrare

094.0

112

22

2

11

22112112

SS

SSSSU dBdBGdBGdB TUT 861.0783.0

83.171

1

1

12

22

2

212

11

max

S

SS

GTU dBdBGTU 511.12max

dBS

GS 289.2694.11

12

11

max

dBS

GL 215.0051.11

12

22

max

dBSG 007.10017.102

210

Page 51: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Pentru reteaua de adaptare la intrare CZ: 0.75dB CCCIN: 1dB, 1.5dB, 2 dB

Aleg (Q mic banda larga) pozitia m1

Page 52: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Daca se sacrifica 1.2dB castig la intrare pentru conditiiconvenabile F,Q (Gs = 1 dB)

Se prefera obtinerea unui zgomot mai mic

Page 53: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Pozitia m1 de pe grafic

178412.0S 178;412.0 S

412.02cos 33.1142

8.31

2.146

33.114

33.1142

904.0

904.0Im Sy

1.42

9.137sp

S 2cos 2

1

2Im

S

SSy

Page 54: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

CCCOUT: -0.4dB, -0.2dB, 0dB, +0.2dB Lipsa conditiilor privitoare la zgomot ofera posibilitatea

obtinerii unui castig mai mare (spre maxim)

Page 55: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Pozitia m2 de pe grafic

9.132;186.0 L

186.02cos 72.1002

1.16

8.116

72.100

72.1002

379.0

379.0Im Ly

7.20

3.159sp

9.132186.0L

L 2cos 379.0

1

2Im

2

L

LLy

Page 56: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se estimeaza obtinerea unui castig (in ipoteza unilaterala, ±0.9 dB)

Se estimeaza obtinerea unui factor de zgomot sub 0.75 dB (destul de apropiat de minim ~0.6 dB)

dBGdBGdBGdBG LST 0

dBdBdBdBdBGT 2.112.0101

Page 57: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 58: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 59: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Daca e necesar un castig mai mare decat celcare poate fi oferit de un singur tranzistor

Se utilizeaza formula lui Friis pentru a impartinecesarul de:

castig

zgomot

pe cele doua etaje individuale

Page 60: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Adaptarea inter-etaje se poate proiecta in doua moduri:

adaptarea fiecarui etaj spre un Γ = 0 intermediar

Page 61: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Adaptarea inter-etaje se poate proiecta in doua moduri:

adaptarea unui etaj spre Γ necesar pentru celalalt

Page 62: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Amplificatoare de banda larga

Page 63: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se pot obtine prin un numar de tehnici de proiectare

1. Retele de adaptare care sa compensezescaderea castigului cu frecventa

2. Retele de adaptare rezistive

3. Reactie negativa

4. Amplificatoare echilibrate

5. Amplificatoare distribuite

6. Amplificatoare diferentiale

Page 64: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

2 Amplificatoare (identice) cu doua cuploarehibride 3 dB / 90° la intrare si iesire

BA GGj

S

2

21

BAS 2

111

BA FFF 2

1GjS

BA

21

011 BA

S

Page 65: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza
Page 66: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Conditia de sincronizare

intarzierea pe liniile de intrare (grila) egala cu ceade pe liniile de iesire (drena)

Castigul de putere

Castigul de putere fara pierderi

ddgg ll

2

22

4 ddgg

ddgg

ll

lNlNgdm

ee

eeZZgG

ggg j ddd j

4

22 NZZgG

gdm

Page 67: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

ddgg

ddgg

optll

llN

lnln

Page 68: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Capacitatile de intrare in cele douatranzistoare in conexiune diferentiala aparconectate in serie

Se dubleaza astfel frecventa unitara

Page 69: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Se utilizeaza structuri de circuit care sa faca conversiade la dispozitivele unipolare la cele diferentiale

cuploare hibride 3dB / 180°

"balun" (balanced - unbalanced)

Page 70: Curs 10 2014/2015rf-opto.etti.tuiasi.ro/docs/files/DCMR_Curs_10_2014.pdf · 2014-12-17 · Se observa ca zgomotul generat de tranzistor depinde numai de modul in care se realizeaza

Laboratorul de microunde si optoelectronica http://rf-opto.etti.tuiasi.ro [email protected]