Componenti elettronici Transistor - uniroma2.it · Transistori a giunzione: BJT Struttura...
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Componenti elettronici
Transistor
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Transistori a giunzione: BJTStruttura semplificata e simboli circuitali dei transistori bipolari
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Modello a parametri ibridi
IbIc
Ie
be ie b re ce
c fe b oe ce
V h I h VI h I h V
= ⋅ + ⋅= ⋅ + ⋅
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Modello a π (o di Giacoletto)
IbIc
Ie
'm feb eg r h⋅ =
Relazioni di equivalenza con il modello ibrido
( ) '1oe ce fe b ch g h g= + + ⋅
' ' iebb b er r h+ =
'
' '
b ere
b e b c
rh
r r=
+
CQm
T
Ig
Vη=
⋅
5
Polarizzazione
2
1 2
1 21 2
1 2
//
th CC
th
RV V
R RR R
R R RR R
= ⋅+
⋅= =
+
( )CC CE C E C
th th B BE
C FE B
V V R R IV R I VI h I
= + + ⋅
= ⋅ += ⋅
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Limiti
Limiti TermiciPD(max): è la massima potenza dissipabile sul dispositivo ad una temperatura ambiente precisata (tipicamente 25°C).TJ(max): è la temperatura massima della giunzione.
Limiti di correnteIC(max): è la massima corrente continua di collettore ammissibile.ICM(max): è la massima corrente impulsiva sopportabile dal dispositivo, misurata in condizioni specificate.
Limiti di tensioneBVEB0: tensione di rottura della giunzione base emettitore misurata per una corrente IEprecisata, a collettore aperto BVCB0: è la tensione di rottura della giunzione collettore base misurata per una corrente ICprecisata a emettitore aperto, è normalmente dell’ordine delle decine di volt.BVCE0: è la tensione di rottura collettore emettitore per una corrente di IC precisata.BVCER: è la tensione di rottura collettore emettitore per una corrente IC precisata, con una resistenza R di valore indicato, inserita tra base ed emettitoreBVCES: è la tensione di rottura collettore emettitore misurata per una corrente IC precisata, con base ed emettitore cortocircuitati.BVCEX: è la tensione di rottura collettore emettitore misurata per una IC precisata, con la giunzione base emettitore polarizzata inversamente ad un valore di tensione specificato.
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Realizzazione
E
C
B
8
Transistori ad effetto di campo: FETJFET a canale n JFET a canale p
JFET: struttura planare
9
Principio di funzionamento del JFETRegione ohmica
DSnD
DSnDXnDD V
LWqNb
LVNqWbENqAI ⎟
⎠⎞
⎜⎝⎛µ=µ=µ= 22
2
1 ⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=
P
GSDSSD V
VII
( ) ⎟⎠⎞
⎜⎝⎛
µ=
WL
NqaONr
nDDS 2
1
10
MOSFET ad arricchimentoTipo n
11
MOSFET a svuotamento
Svuotamento
Arricchimento
12
Circuiti di polarizzazione
13
Modello equivalente
0d
dsg m o
gs i
vg r
vµ
=
= − = ⋅