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Componenti elettronici Transistor

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Componenti elettronici

Transistor

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Transistori a giunzione: BJTStruttura semplificata e simboli circuitali dei transistori bipolari

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Modello a parametri ibridi

IbIc

Ie

be ie b re ce

c fe b oe ce

V h I h VI h I h V

= ⋅ + ⋅= ⋅ + ⋅

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Modello a π (o di Giacoletto)

IbIc

Ie

'm feb eg r h⋅ =

Relazioni di equivalenza con il modello ibrido

( ) '1oe ce fe b ch g h g= + + ⋅

' ' iebb b er r h+ =

'

' '

b ere

b e b c

rh

r r=

+

CQm

T

Ig

Vη=

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Polarizzazione

2

1 2

1 21 2

1 2

//

th CC

th

RV V

R RR R

R R RR R

= ⋅+

⋅= =

+

( )CC CE C E C

th th B BE

C FE B

V V R R IV R I VI h I

= + + ⋅

= ⋅ += ⋅

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Limiti

Limiti TermiciPD(max): è la massima potenza dissipabile sul dispositivo ad una temperatura ambiente precisata (tipicamente 25°C).TJ(max): è la temperatura massima della giunzione.

Limiti di correnteIC(max): è la massima corrente continua di collettore ammissibile.ICM(max): è la massima corrente impulsiva sopportabile dal dispositivo, misurata in condizioni specificate.

Limiti di tensioneBVEB0: tensione di rottura della giunzione base emettitore misurata per una corrente IEprecisata, a collettore aperto BVCB0: è la tensione di rottura della giunzione collettore base misurata per una corrente ICprecisata a emettitore aperto, è normalmente dell’ordine delle decine di volt.BVCE0: è la tensione di rottura collettore emettitore per una corrente di IC precisata.BVCER: è la tensione di rottura collettore emettitore per una corrente IC precisata, con una resistenza R di valore indicato, inserita tra base ed emettitoreBVCES: è la tensione di rottura collettore emettitore misurata per una corrente IC precisata, con base ed emettitore cortocircuitati.BVCEX: è la tensione di rottura collettore emettitore misurata per una IC precisata, con la giunzione base emettitore polarizzata inversamente ad un valore di tensione specificato.

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Realizzazione

E

C

B

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Transistori ad effetto di campo: FETJFET a canale n JFET a canale p

JFET: struttura planare

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Principio di funzionamento del JFETRegione ohmica

DSnD

DSnDXnDD V

LWqNb

LVNqWbENqAI ⎟

⎠⎞

⎜⎝⎛µ=µ=µ= 22

2

1 ⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−=

P

GSDSSD V

VII

( ) ⎟⎠⎞

⎜⎝⎛

µ=

WL

NqaONr

nDDS 2

1

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MOSFET ad arricchimentoTipo n

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MOSFET a svuotamento

Svuotamento

Arricchimento

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Circuiti di polarizzazione

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Modello equivalente

0d

dsg m o

gs i

vg r

=

= − = ⋅